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1.
数码相机的清晰度越来越高。目前市场上300~400万像素级数码相机仍为主流,但高档机型已达到500万甚至800万像素级。不过,除像素值的攀升外,光学变焦镜头的倍率也在增加。 相似文献
2.
提出了一种新的不等间距配置波分复用信道的方法—循环回转法,它可以有效克服原有的不等间距配置波分复用信道方法的缺陷。 相似文献
3.
4.
5.
为了获得性能优良的耐热镁合金,研究了Sr对初生和共晶Mg_2Si相的变质作用,并利用扫描电子显微镜观察了Mg_2Si相的形貌特征与Mg-1.7Si-x Sr合金的微观组织.结果表明,当Sr的质量分数处于1.0%~1.5%范围内时,可对初生和共晶Mg_2Si相进行有效变质.Sr的吸附作用可以诱发孪晶沟槽、旋转晶界等原子扩展台阶的出现,引起原子堆砌方式和晶体生长方向的改变,因而Sr可对初生Mg_2Si相起到变质作用.Sr的添加还可将Mg+Mg_2Si共晶的长大方式由合作长大模式变为以重新形核为主兼有合作长大的混合模式,使得Mg_2Si相的生长形态产生改变,因而Sr可对共晶Mg_2Si起到变质作用. 相似文献
6.
The thermogravimetric analysis of a ternary Cu-25Ni-30Cr alloy prepared by conventional casting was performed in 0. 1 MPa pure O2 at 700-800℃. The results show that the alloy is composed of three phases,where the phase with the largest copper and lowest chromium content forms the matrix, while the other two,much richer in chromium, form a dispersion of isolated particles. At variance with another three-phase Cu-20Ni-20Cr alloy, which forms complex scales containing the oxides of the various components and double oxides plus an irregular region composed of alloy and oxides, the present alloy can form a very irregular but continuous chromia layer at the base of the mixed internal region, producing a gradual decrease of the oxidation rate down to very low values. A larger chromium content needed to form chromia layer for a ternary three-phase alloy is attributed to the limitations to the diffusion of the alloy components in the metal substrate imposed by their multiphase nature. 相似文献
7.
8.
表面感应淬火对45钢滚动磨损特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
针对传统热处理后45钢耐磨性较低的缺点,研究了正火 表面感应淬火热处理后45钢相对ZG31Mn2Si摩擦副的滚动磨损特性和磨损机理.测试了试验载荷、材料硬度与磨损失重的关系,采用扫描电镜分析了感应淬火热处理后不同硬度45钢的磨损形貌及变化规律.结果表明:当载荷恒定,磨料硬度Ha大于被磨材料45钢硬度Hm时,45钢随着感应淬火后自身硬度的提高,耐磨性明显提高,为硬磨料磨损;Ha<Hm时,随着材料硬度的提高,磨损量变化很小,为软磨料磨损;其滚动磨损机理随着表面感应淬火后硬度的升高由塑变磨损转变为犁沟磨损. 相似文献
9.
两种Co—Nb合金在600℃—800℃:1大气压纯氧中的氧化 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了含Nb15和30wt%的Co-Nb二元合金在1atm纯氧中600-800℃的氧化特性。它们的氧化动力学近似地遵循抛物线规律,而其瞬时氧化速度常数随时间而减低,且以600℃氧化者尤甚。两合金的氧化速率均高于纯Co,但其速率增量颇低。 相似文献
10.
以未拆和已拆电子元器件的废旧印刷线路板(Waste Printed Circuit Boards,WPCBs)为研究对象,对比研究了其在硝酸中金属铜的浸出规律。研究结果表明:两者铜的浸出率随粒径的增大、时间的延长和固液比的减小而增大,温度对两者的影响都不大。已拆电子元器件的WPCBs的铜浸出率随H2O2和HNO3用量的增大而增大,而后者在实验讨论的范围内,H2O2和HNO3用量对其浸出率无明显影响。对于1 g样品,当未拆电子元器件的WPCBs粒径为0.25~0.5 mm,固液比为1:1,H2O2和HNO3均为2 mL时,50℃浸出2 h,即可浸出几乎全部的铜;当已拆电子元器件的WPCBs粒径为0.1~0.25 mm,固液比为1:1,H2O2和HNO3用量分别为2 mL和6 mL时,室温浸出2 h,铜浸出率达92.03%。 相似文献