激光辅助纳米压印填充过程有限元分析

随着光刻技术的发展,电子器件的尺寸越来越小,已经进入纳米量级.几十年来,光学光刻技术在半导体加工图形转移的过程中一直扮演着重要角色,纳米压印技术以产量高、成本低、工艺流程简单的优点逐渐在图形转移技术中崭露头角.介绍了一种新型的激光辅助纳米压印技术,基于有限元方法并借助ANSYS软件对压印过程中二维的熔融层填充过程进行模拟.Si基板在激光作用下形成熔融层时,采用Mooney-Rivlin模型表示熔融层的机械性能.通过试验分析了深宽比、转移图形宽度和占空比对聚合物变形的影响,总结了技术的可行性与优越性,为以后纳米压印过程的优化提供了参数支持.     

用于大功率半导体激光器的新型焊料

在大功率半导体激光器列阵及叠阵的组装中,焊料的选择是极其关键的,因为焊料直接参与对激光器的导电、导热激光器所需的电流全部从焊料通过,而半导体激光器列阵或叠阵工作时电流是很大的,可达50A～100A。同时半导体激光器工作时产生的热量非常大,如焊料的导热性不好,由于电流的热效应,就会在焊料上产生巨大的热量,使焊料熔化。文中研制了一种新型的焊料,这种焊料在两层铟之间蒸镀几层金,焊料由钨/镍/金/铟/铜等多层金属构成。利用这种焊料研制出脉冲功率达100W的半导体激光器列阵。     

BK系列控制变压器容量的正确使用

对BK系列控制变压器在不同绕线方式下实际输出容量进行了计算和分析，为电器工作中的正确应用提供参考依据。     

光纤耦合模块中光纤焊接技术的研究

大功率半导体激光器列阵的光纤耦合模块对光纤焊接的要求很高,在焊接中不希望用有机粘接剂和有助焊剂的金属焊膏,有机物在激光器工作时挥发出有机物质.这些有机物会污染激光器腔面,致使激光器工作时腔面温度很高.附着在腔面的有机物就会碳化,影响激光器的出光,并且还会导致激光器烧毁.提出用电场辅助焊接的方法,使光纤在硅片的V型槽中固定,取得了良好效果,在焊接中不使用助焊剂,不使用有机粘接剂,减少了激光器腔面的污染,从而延长了半导体激光器光纤耦合模块的寿命.测试结果表明,其剪切力最大可达35 MPa.     

COM+事件模型在多层结构中的应用

主要介绍了COM 的基于发布/订阅的松耦合事件模型结构及其技术特点，并通过对比COM的基于连接指针的紧耦合事件模型，指出COM紧耦合事件模型存在的不足之处，从中说明COM 事件模型在多层结构的软件应用中是一种更先进和实用的事件解决方案。     

半导体器件测试虚拟仿真教学实验设计

半导体器件是集成电路的核心基础,器件特性是器件建模和集成电路设计的重要依据,半导体器件测试成为集成电路相关领域人才必须掌握的重要实践能力。针对实际测试实验存在设备和耗材昂贵、测试过程耗时长等问题,通过搭建半导体器件交直流特性测试系统的虚拟模型,并基于InP基器件科研测试数据反哺教学,学生通过对器件在不同偏置下不同特性的虚拟测试,巩固半导体器件理论知识,掌握测试设备操作技能,全面提升动手实践能力。     

集成电路设计人才培养课程体系改革

本文讨论了本校微电子专业方向的课程体系改革。改革内容包括拓展课程设置范围,设置专业模块和课程群,增加学生选课空间;将部分专业基础课前移至5学期和6学期;加强集成电路设计实验室建设,培养毕业生实际动手设计能力。校企联合可以实现优势互补,共同培养集成电路产业急需的专业技术人才。组织学生和教师共同参与教研可以提高课堂教学质量。     

十字架型超材料吸波特性及机理研究

设计了一种十字架型电磁超材料吸波体,采用CST studio suite 2009 频域求解器提取S 参数进行仿真研究,并计算了其吸波率,在24.65 THz 和35.25 THz 得到两个吸收峰,吸收率分别为0.83 和0.997。改变材料结构尺寸,在7.3 THz 达到完美吸收,吸收率接近于1。将THz 波段的超材料吸波体结构尺寸放大1000 倍,在GHz 波段同样可以达到完美吸收,说明超材料吸波体可通过对结构尺寸调节改变吸收波段。另外研究了这种吸波体的吸收机理,发现吸收主要在第一层的十字架金属单元层,可用于Bolometer 探测器的设计。