铝丝阵Z箍缩电子温度径向轮廓研究

利用均匀色散云母弯晶分析器,在"阳"加速器上测量了铝丝阵Z箍缩等离子体的时间积分X射线光谱。采用碰撞辐射模型,通过测量Al的Ly-α/He-α以及Ly-β/He-ε的强度比推断出平均电子温度,分别为512eV和489eV。针对记录的连续辐射,由连续谱斜率拟合得到了等离子体核心电子温度为1215eV。对圆柱箍缩温度径向轮廓的研究表明,此次聚爆实验的电子温度从箍缩轴心向外缘近似线性降低。谱线强度比法是诊断平均电子温度的有效手段,而连续谱拟合法为诊断铝丝阵箍缩核心区的等离子体电子温度提供了重要信息。     

基于石英球面弯曲晶体的X射线成像研究

为了诊断惯性约束聚变的聚爆靶的尺寸、形状、分布和均匀性等情况,利用X射线布拉格衍射理论,搭建了基于球面弯曲晶体的X射线背光成像系统。其核心元件是α-石英球面弯晶,α-石英晶体性质稳定,结构完整,反射率和分辨率高。弯曲晶体尺寸为65mm×20mm,弯曲半径为143.3mm。利用该背光成像系统进行了单色X射线背光成像实验。成像物体为3×3阵列的正方形不锈钢网格,利用接收装置磷屏成像板,得到清晰的Cr KαX射线背光源二维空间分辨,在9.6mm×28.7mm的视场范围内,其像的空间分辨率大约为83.3μm。实验结果表明α-石英球面弯曲晶体适合于X射线的背光诊断研究。     

LED芯片封装在线非接触检测系统

根据p-n结的光生伏特效应,采用交变光源照射待测LED芯片,在封装的短路支架上激励出光生短路电流;通过对该微弱电流信号的测量,判断引脚式封装的LED芯片在压焊工艺中/后的功能状态及焊线质量,实现LED芯片的非接触检测。构建了以单片机为控制核心的测试系统,采取了提高系统检测准确性和检测效率的措施,实现了系统控制、数据处理分析等功能。实验结果表明,该系统能正确检测红光、黄光及绿光LED芯片,系统检测效率高,单个LED芯片的检测时间仅为10ms,适用于实际LED生产时引脚式封装工艺过程中的在线检测。     

球面弯晶实现X射线单能成像的研究

基于Bragg衍射原理,研制了一种对激光等离子体进行二维成像的球面晶体分析器。采用球面弯曲石英晶体作为分析器,X射线IP板作为成像器件。采用Cr靶X射线辐射金属网格（目标）,网格的网孔尺寸为200μm×200μm。通过球面弯晶对Cr靶Kα谱线的衍射,得到网格的二维单色衍射图像。实验结果表明,球面弯晶分析器具有较高的光谱...     

LED芯片在线检测方法研究

对于封装过程中的LED芯片的检测目前还没有行之有效的方法,基于p-n结的光生伏特效应和法拉第定律,提出一种非接触式的针对LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间连接状态的检测方法。根据实际LED芯片所处的闭合短路状态,感应回路由绕在高磁导率条形磁芯上的多匝线圈构成。磁芯采用不同搭接方式以提高检测的信噪比,根据实验结果确定了磁芯的最佳搭接方式。实验结果表明,该方法具有较高的检测精度,可以实现对闭合短路状态微安量级光生电流的检测。计算结果与实验结果吻合较好。     

一种LED芯片在线非接触检测系统

本文介绍了一种发光二极管(LED)芯片非接触在线检测系统。阐述了检测系统工作原理及检测系统构成。系统采用C8051F020单片机进行控制,利用LED p-n结的光生伏特效应,通过对光生伏特效应中产生的光生短路电流的测量,实现对LED芯片质量及芯片与引线支架电气连接状态的检测。通过对常用LED芯片测量的实验结果表明,该系统能快速有效的对封装过程中的LED芯片状态进行非接触检测。     

基于对数螺线晶体Z箍缩铝等离子体单色成像研究

研究了一种对数螺线柱面晶体配接针孔对Z箍缩铝等离子体进行单色谱成像的摄谱成像仪,摄谱仪具有结构简单、外形尺寸紧凑的特点。由于对数螺线晶体的保角特性,摄谱成像仪可在较大视场范围内对Z箍缩内爆等离子体进行单色谱成像。在"阳"加速器上,针对Z箍缩铝等离子体K壳层的X射线辐射进行了成像实验,得到了铝丝阵内爆等离子体的类氢(1727.7eV)和类氦线(1588.3eV)单色图像。在箍缩单色图像上观察到了磁瑞利-泰勒不稳定性引起的"热点"及内爆不稳定性造成的螺旋形结构,反映了等离子体的内爆形态,为进一步理解Z箍缩物理过程和确定等离子体的辐射特性提供了参考。     

X射线单色成像用透射式对数螺线晶体分析器

利用对数螺线晶体在大视场范围内的保角特性,研究了一种用于等离子体X射线单色成像的透射式对数螺线晶体分析器。与反射式弯晶成像谱仪相比,该分析器具有单能成像视场更大,实现相同放大倍数时的空间排布简单等优点。根据晶体衍射成像原理及对数螺线晶体的表面方程,分析了透射式对数螺线晶体分析器的成像原理以及成像性能,包括子午、弧矢放大倍数以及视场大小等。以铜靶X射线源为背光源,用研制石英晶体透射对数螺线分析器对网丝直径为100μm的金属网格进行了单色背光成像实验。实验结果表明,晶体分析器的空间分辨力约为30μm,子午和弧矢方向视场分别达到15.938 7mm和5.900 6mm。     

球面弯曲晶体在X射线背光成像的应用

基于X射线布喇格衍射理论,研制了球面弯曲晶体分析器,用于研究和诊断惯性约束聚变的聚爆靶等离子体的形状、分布及稳定性.分析器的核心器件是石英球面弯晶,弯曲晶体半径为143.3 mm.首次利用石英球面弯曲晶体进行了单色X射线背光成像实验.采用接收面积为40 mm×30 mm的磷屏成像板作为接收装置,得到了清晰的铬靶单色X射...     

采用光生伏特效应的LED芯片在线检测方法研究

基于pn结的光生伏特效应,本文研究了一种非接触式LED芯片在线检测方法.通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生电流,检测LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间的电气连接状态.通过分析pn结光生伏特效应的等效电路,详细论述了半导体材料的各种参数及等效电路中各电参数与支架上流过的光生电流的关系.实验对各种不同颜色的LED样品进行了测量.研究表明,该方法可以实现LED芯片的在线检测,有较大的应用价值.