一台小容量动态MOS存储器的研制

众所周知,自七十年代初著名的1103MOS存储器问世以来,MOS存储器取得了迅速的发展,国外已经大量地采用MOS RAM作为计算机的主存。近几年来国内的一些半导体制造厂家也已小批量生产集成度为1024×1     

一个高速16K位n沟道MOS随机存储器

本文介绍一个高速16K位动态MOS随机存储器(RAM)的方案。这个存储器采用了先进的n沟道硅栅MOS工艺(5μm 光刻技术)制成的面积为22×36μm~2的单管单元。设计的主要特点是采用一个具有高速度(读取时间为200ns)和低功耗(400ns 周期内为600mw)的读出线路图。全译码存储器制在5×7mm~2的芯片上,并装配在22引线陶瓷的双列直插式封装内。     

一台可靠性较高的MOS存储器模块及其检测系统

一、概述本文介绍一台可靠性较高,速度较快,外围控制电路简单的动态MOS存储器模块及其检测系统。为了提高机器效率,主机采用两条流水线并行读写,每条流水线存储容量为24k字30位,(其中6位为海明校验位),分为三     

一个用单管单元做成的4096单元MOS存储器件

前言由于MOS器件比双极器件包含较少的制造步骤,因而用它们来做成廉价的大容量存储器是很实际的[1]。大规模集成MOS存储器(表1)的迅速发展开始于1970年的256单元的MOS器件[2]。其后转为用电容作为存储数据的动态单元[3]以及制造工艺的改进使增加组装密度成为可能。动态的1024单元的器件已经组成UNIDATA及其它形式的计算机中的标准硬件。我们为未来的存储器[4]已研制成二个4096单元N沟道硅栅工艺的MOS器件