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基于噪声消除技术的超宽带低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于TSMC 0.18μm工艺研究3 GHz~5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB~19.6 dB,输入、输出端口反射系数均小于-11 dB,噪声系数NF为2.02 dB~2.4 dB。在1.8 V供电电压下电路功耗为12.5 mW。 相似文献
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基于0.18μm CMOS工艺,采用包含增益驱动级在内的两级电路结构,设计了一个工作频率为2.4GHz的E类开关模式功率放大器,并实现了全片集成.电路通过负载牵引技术获得最佳输出负载,在2V电源电压下经ADS2005A仿真,当输入信号功率为-10dBm时,获得约21.5dBm的输出功率,功率增益为31dB,功率附加效率达到57.69%的较好结果. 相似文献
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基于低噪声放大器设计原理,从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计,利用ADS2005A对电路进行谐波平衡、S参数分析及双音测试,结果表明,其噪声系数为1.795dB,正向增益为17.35dB,IIP3约为-1.43dBm,功耗约8.96mW。 相似文献
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用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4–xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10V时,Pr及Ec分别达到27×10–6C/cm2和70×103V/cm。在1MHz时,Au/BNT/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到1010后表现出较好的抗疲劳特性。 相似文献
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本文用差热分析、热重分析和X射线衍射等方法,研完了 CaCl_2对CaCO_3—SiO_2混合物中 CaCO_3分解速度的影响以及各不同温度下煅烧的反应产物。结果表明,在 CaCO_3—SiO_2配料中加入 CaCl_2,能够成倍地加速 CaCO_3的分解速度,并使 C_2S 的生成温度显著提前。 相似文献
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CaCO_3-SiO_2-CaCl_2配料中CaCO_3分解动力学研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文用差热分析、热重分析和X射线衍射等方法,研究了CaCl_2对CaCO_3—SiO_2混合物中CaCO_3分解速度的影响以及各不同温度下煅烧的反应产物。结果表明,在CaCO_3—SiO_2配料中加入CaCl_2,能够成倍地加速CaCO_3的分解速度,并使C_2S的生成温度显著提前。 相似文献
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锰对硅酸盐水泥熟料燃烧的影响 总被引:3,自引:3,他引:0
通过高温差热分析,XRD,高温显微镜分析,SEM,EPMA以及测定fCaO等方法研究了MnO2对硅酸盐水泥熟料煅烧的影响。试验结果表明,锰主要分布在中间相,随着MnO2外掺量的增多,熟料中铁相含量增多,C3A及C3S含量减少,液相量大量出现的温度升高。 相似文献
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