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Borland公司的Delphi和C++ Builder中均提供了强大的可视化集成开发环境,从而使得Windows下的应用程序开发变得更为简洁和高效。但是,笔者在使用过程中也发现了Borland可视部件的一个不足之处。 跟踪条作为Win 32系统中新增加的通用控件(Common Control)而被应用程序广泛使用(如 相似文献
2.
从改进炉子结构,延长使用寿命、提高炉子热效率、缩小炉子温差、降低能消耗、提高产品质量,保证安全生产的角度出发,进行铝箔退火炉的设计。设计中采用了高温轴流风机,卡口式加热元件,导热系数小、保温性能好的新型耐火材料及结构;气动压紧炉门和WT-100高精度温度程控仪等先进技术,使铝箔退火炉结合合理,温度均匀,使用寿命长,热效率高。 相似文献
3.
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起. 相似文献
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用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高宽为4.56',AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(o)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量. 相似文献
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从T-ZnOw空间结构出发,建立新型T-ZnOw/树脂基复合材料三维点阵模型,并利用Monte Carlo方法对系统逾渗导通行为进行了模拟,获得点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算并获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw长径比,且与晶须尺寸及复合材料的制备工艺有关。对T-ZnOw复合材料吸波机理进行了探讨,发现电导损耗和界面极化效应引发T-ZnOw针状晶体尖端放电现象可能是入射电磁波能量耗散的主要途径。 相似文献
6.
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的C0的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通人1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能. 相似文献
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采用RF-MBE技术,在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN/GaN HEMT结构.用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43%,异质结构晶体质量较高,界面比较光滑.变温霍尔测量显示此结构具有良好的电学性能,室温时电子迁移率和电子浓度分别高达1246cm2/(V·s)和1.429×1013cm-2,二者的乘积为1.8×1016V-1·s-1.用此材料研制的器件,直流特性得到了提高,最大漏极输出电流为1.0A/mm,非本征跨导为218mS/mm.结果表明,提高AlGaN势垒层Al的组分有助于提高AlGaN/GaN HEMT结构材料的电学性能和器件性能. 相似文献
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重映射ROM-BIOS地址成都四川联大西区计算机系95研(610065)王可王翠梅1问题的提出ROM-BIOS是IBM系列兼容机的基本输入输出系统程序,其中含有磁盘、键盘、通信等基础功能的常规例程。在有些情况下,如调试修改过的BIOS程序,或需要通过... 相似文献
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