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采用0.25 μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺设计了一种全集成单片微波集成电路(MMIC)多尔蒂(Doherty)功率放大器(DPA)。采用了新型的拓扑结构,去除了传统DPA中主路放大器的阻抗变换器以及两路合成后的阻抗转换器,直接在主路输出匹配网络(OMN)中实现饱和点和回退点的阻抗的转换,采取适当的阻抗,与传统电路相比,降低了阻抗转换率,拓宽了频带。此外功率分配器也采用了新颖的拓扑结构,减少了元器件的使用,并且在DPA的匹配网络中使用集总电感的电容降低版图的面积。设计了一款工作在4.6~5.4 GHz的Doherty类功放,版图后仿真结果显示,饱和输出功率为40 dBm,饱和点漏极效率DE为58.9%~61.3%,6 dB回退点的漏极效率为38.3%~45%,增益为8.4~11.3 dB,版图面积为2.4 mm×1.1 mm。 相似文献
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针对无线接收机在对不同信号进行放大时,噪声恶化严重的问题,文中在驱动放大级采用电流复用技术,可以降低系统功耗,同时,在增益变化过程中保证了输入级增益对后级电路噪声的抑制作用,使得增益变化过程中,噪声始终低于1 dB。输入级和输出级阻抗匹配良好,在3 GHz~6.3 GHz的工作频段上可实现系统增益的连续可调范围约30 dB(19.6 dB~49.6 dB),同时通过采用两个控制电压分别控制两级放大电路,在增益变化过程中系统获得了良好的增益平坦度,版图尺寸为0.95×1.53 mm2。在常规工作状态下,系统噪声为0.56±0.02 dB,增益为49.6±0.47 dB,功耗97 mW。在4.5 GHz频率处,系统的OP1dB为10.3 dBm, OIP3达到29 dBm,具有良好的线性度。 相似文献
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基于0.25μm GaN HEMT设计了一种工作于C波段、结构简单、宽带高效的E类功率放大器。针对单片微波集成电路(MMIC)功率放大器设计中射频扼流圈所占面积较大且难以实现的问题,采用有限元直流馈电电感替代扼流圈电感,抑制晶体管寄生参数Cds对最高工作频率的影响,并采用低Q值混合参数匹配网络,将功率放大器电路输入输出的最佳阻抗匹配到标准阻抗50Ω。版图后仿真结果表明,在4.1~4.9 GHz工作频段内,功率附加效率为51.309%~58.050%,平均增益大于11 dB,输出功率大于41 dBm。版图尺寸为2.7 mm×1.4 mm。 相似文献
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由于经典的正峰值保持电路频带窄、转换速率慢、线性差、且下垂速率快,不适于高速采集。文中在经典的正峰值保持电路基础上,通过改进获得了一种厚膜集成的改进型的激光信号保持电路,并根据技术要求,在用户协助下通过增加一级闭环回路给电容充放电来实现正峰值保持指标。通过仿真论证了电路的模块化和高可靠性设计原则。 相似文献
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提出了一种利用微分非线性误差参数(DNL)表征单管MOSFET工艺波动特性的方法,并建立了其数学关系表达式.该表征方法通过测试多组90nm/1.2V标准CMOS生产工艺的D/A转换器工艺样片的驱动管输出电压和电流,利用微分非线性误差作为衡量工艺波动程度的指标参数,得到反映输出驱动管阵列受工艺波动影响的MOS晶体管的器件失配系数ΔD.通过建立两者的数学关系式,量化描述了由工艺波动造成的输出驱动管电流失配,以及该失配对于DAC输出特性变化的影响.由实际测试分析结果可知,该表征方法具有较强的实用价值,能够为模拟IC设计者预测电路性能提供理论依据与技术指导. 相似文献
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本文是一篇有关石英振梁加速度计厚膜激振电路的理论研究、设计和批量化持续改进过程的技术总结。详细地介绍了该产品的电路、结构设计及失效产品分析和解决办法等内容,论证了激振电路模块数字化、批产化和高可靠的设计原则,同时也涉及了传感器行业特点及其发展方向的相关探讨。 相似文献
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