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An optimized modeling method of 8 × 100 μm AlGaN/GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) for accurate continuous wave (CW) and pulsed power simulations is proposed. Since the self-heating effect can occur during the continuous operation, the power gain from the continuous operation significantly decreases when compared to a pulsed power operation. This paper extracts power performances of different device models from different quiescent biases of pulsed current-voltage (I-V) measurements and compared them in order to determine the most suitable device model for CW and pulse RF microwave power amplifier design. The simulated output power and gain results of the models at Vgs = -3.5 V, Vds = 30 V with a frequency of 9.6 GHz are presented. 相似文献
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通过添加稀土Y或Lu,设计Si3N4–Al2O3–RE2O3–Si O2(RE-Si-Al-O-N,RE=Y或Lu)混合粉末焊料,原位形成以RE-Si-Al氧氮玻璃为中间层的氮化硅陶瓷接头。研究了连接过程中陶瓷接头微观组织与性能随连接温度、保温时间、稀土类型的变化,并分析了接头高温氧化行为。结果表明,采用Y-Si-Al-O-N焊料时,保温时间延长有利于接头内组织均匀化、焊缝致密化及焊料与母材间的相互扩散,形成良好连接。接头强度随保温时间延长先升高后降低,保温30 min时,接头强度出现峰值(218 MPa)。接头经1 200℃氧化20 h后仍保持原始强度的82%。采用Lu-Si-Al-O-N玻璃连接氮化硅,随连接温度升高,焊缝致密化程度提高,?-sialon相增加,连接强度呈现升高趋势。 相似文献
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通过对中国石油人连石化分公司加氧裂化尾油进行酮苯脱蜡试验,考察了加氧裂化尾油通过酮苯脱蜡工艺生产石蜡及高品质基础油的可行性.试验结果表明:经适当的工艺调整,加氢裂化尾油可以通过酮苯脱蜡脱油得到质量较好的脱蜡油和脱油蜡,脱蜡油可作为润滑油基础油的优良调合组分. 相似文献
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采用化学镀的方法在多壁碳纳米管(CNTs)表面均匀地镀覆纳米铜颗粒,研究混酸处理时间及混酸预处理对CNTs表面镀铜的影响。研究表明混酸处理主要对CNTs表面无定型碳层的剥离程度有一定影响,恰当的混酸处理时间可使CNTs表面的无定型碳层部分被剥离,从而达到良好的镀铜效果。混酸预处理对CNTs管壁有一定的腐蚀效果,但只有硫酸浓度达到一定值时才能对CNTs的管壁产生有效且显著的腐蚀,其临界值为HNO_3:H_2SO_4=1:3。当硫酸浓度低于这一临界值时只能有效清除CNTs表面的无定型碳层而不能对CNTs的管壁产生明显的腐蚀效果。本研究表明,采用HNO_3:H_2SO_4=3:1处理5 h可在CNTs管壁上镀覆均匀分布的纳米铜颗粒。 相似文献
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为获取完整的木质素化学结构,全面深刻解析木质素的结构特性,以球磨2 h的杨木为原料,通过LiCl/DMSO溶解体系溶解、再生处理,纤维素酶解,再经分离、纯化得到杨木溶解再生酶解木质素(DEL),得率和纯度分别为42.1%、39 g/kg,均高于单纯纤维素酶解木质素(CEL)。DEL分子质量较低,分散性更均一,分离过程中低分子质量的木质素更易溶出。通过碱性硝基苯氧化反应,表征了DEL的缩合程度,进一步证明了DEL为GS型木质素,且分离过程中,木质素的未缩合结构单元比例、缩合程度未发生变化。 相似文献
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针对无线局域网接收机对低成本和线性度的定制化需求,设计了一款适用于IEEE 802.11 b/g/n/ax标准WLAN接收机的高线性度电流模式混频器;采用零中频接收机架构,电流模式混频器的电路结构主要包括跨导级放大器,混频开关级和跨阻放大器;通过跨导级两种工作状态的转换和跨阻放大器反馈电阻的两种取值变化实现了混频器的四档增益可调;混频开关级选用双平衡无源混频电路以提供良好的线性度;为了解决零中频接收机存在的直流失调问题,加入了一种电流注入式的直流失调校准电路,进一步提高了混频器的线性度;对跨阻放大器中的跨导运算放大器电路进行优化设计以提高其带宽,使跨阻放大器的输入阻抗足够小以保证混频器的线性度;基于180 nm RF CMOS工艺,借助Cadence软件对混频器进行仿真:当本振频率为2.4GHz时,四档增益分别为38dB、32dB、27dB和21dB,中频带宽可达20MHz;噪声系数在高增益的情况下为8.46dB,输入三阶交调点在低增益的情况下可达13.72dBm;仿真结果表明,在较宽的中频带宽下,电流模式混频器取得了良好的线性度性能,满足WLAN接收机的定制化需求。 相似文献
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主要研究β-环糊精(β-CD)对水热法制备氧化锌(ZnO)及其光催化性能影响,采用XRD、SEM、FTIR和UV-Vis对制备的ZnO样品进行表征,并用罗丹明B(RB)模拟印染废水,考察ZnO光催化性能。结果表明,水热环境下β-CD既可抑制ZnO晶体沿[0001]方向的生长,又可抑制ZnO晶体的团聚,ZnO晶粒逐渐变小;当β-CD浓度达到18g·L-1时,可以得到纳米刺球状ZnO,对光生电子的捕获能力较强,光催化活性比普通水热合成的ZnO提高近20%。β-CD可以作为水热法制备特殊形貌ZnO的形貌控制剂,刺球状ZnO在染料废水处理方面将具有巨大的应用价值。 相似文献
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基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2~1.4 GHz的射频信号.电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号.针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网络的双平衡混频器和多级可调电压增益放大器(VGA)并联形式的驱动放大器等技术,降低了输出谐波的幅度并提高输出功率.电路采用SMIC 0.13 μm CMOS工艺进行了设计仿真和流片,芯片面积为3.6 mm×3.4 mm.测试结果表明,四通道直接上变频发射芯片的发射功率可达15.4 dBm,动态增益不小于36.3 dB,通道隔离度不小于43.3 dB.芯片的功耗为837.6 mW. 相似文献