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复合薄膜的巨磁阻抗(GMI)材料的几何结构改变会对其GMI效应产生影响,实验已证实.但目前对GMI效应的理论尚不完善,缺乏对该现象的理论研究.通过经典电磁理论建立了复合薄膜结构的GMI效应的理论模型,并利用模型仿真不同结构参数下典型三层复合薄膜的GMI特性,系统研究了几何结构对复合薄膜GMI效应的影响,并得到结论:在复合薄膜结构中,存在一个最佳的导电层厚度,使GMI效应达到最强;导电层宽度的增加对GMI效应有增强作用. 相似文献
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磁性层/导电层/磁性层结构合薄膜比单层膜具有更强的巨磁阻抗(GMI)效应,但其GMI效应产生和增强的机理尚不完全清楚.本文从经典电磁理论出发,建立了复合薄膜GMI效应的理论模型,利用模型仿真了典型的磁敏感器复合膜CoSiB/Cu/CoSiB的GMI特性及其内部电流的分布.通过研究得到结论:复合结构中的“类趋肤效应“是产生GMI效应的主要原因;各层之间的相互电磁作用和导电层的高电导率特性是使复合结构GMI效应得到加强的原因. 相似文献
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