一种CMOS工艺低电压带隙基准源

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电源电压的带隙基准源.该带隙基准源电路采用非线性温度补偿,具有很高的温度稳定性.Hspice仿真结果显示,电源电压最低为1.2V时,在-40～135℃的温度范围内,输出电压在556.03～556.26mV之间变化,平均温度系数约仅为2.36ppm/℃,电源电压抑制比可达到90dB.     

一种CMOS低电压精准带隙参考源

基于CMOS电流模式,设计一个可以工作在1V电源电压的低电压带隙参考源。采用0.18μmCMOS工艺模型的仿真结果表明,温度在-20℃～80℃范围内,其温度系数小于10ppm/℃,电源抑制比大于-64dB。芯片面积为53μm×44μm。     

一种高性能5-3V DC-DC转换器

设计了一种高性能的DC-DC转换器.该DC-DC转换电路采用了差分结构及反馈网络来提高电路输出的稳定性,并且采用了带隙基准以提高温度特性.具有结构简单、速度快、驱动能力强、功耗低等特点.采用0.6μCMOS工艺模型以及Hspice仿真工具的仿真结果显示,当输入电压从4.4V-6.1V变化时,输出电压可以稳定在3V.