单晶光纤的研究进展

一、引言近年来,随着低损耗玻璃质光纤的发展,人们对单晶光纤的需求越来越迫切。单晶光纤具有块状单晶固有特性和能与玻璃光纤兼容的优点,因此能在许多领域获得广泛应用。如利用其能与玻璃光纤兼容的特性,可用于光纤通讯的各种配套设备中(如光纤放大器、光纤回转仪、信号处理及通讯系统等);可用于制作微型光纤激光器,与半导体微型激光器比较,具有寿命长、不易受电磁干扰等优点;还可用于制作温度计,可测至2000℃且精度可靠。目前国外研究单晶光纤的热潮正在兴起,已有几十种单晶光纤问世,光纤材料包括氧化物、卤     

蓝宝石高温传感光纤的生长

本文采用自制的激光加热浮区生长(LHPG)装置,研究了用于高温传感器探头的蓝宝石单晶光纤的生长特性及性能.结果表明,蓝宝石单晶光纤的品质取决于其生长工艺条件.文中给出了生长蓝宝石单晶光纤的最佳工艺参数.     

掺杂离子在LHPG单晶光纤中的分布

用电子能量色散谱（ＥＤＳ）分析了Ｎｄ＾３＾＋，Ｅｒ＾３＾＋和Ｃｒ＾３＾＋等掺杂离子在ＹＡＧ单晶光纤中的分布，实验发现：掺杂离子的分凝系数不同，其分布规律也不同，根据晶体的溶液生长理论，导出了掺杂离子分布方程，它与实验结果相符较好。     

用阳极直接涂膜内电解法从钍射气的放射性沉积物中分离铋的同位素ThC

目前,制备无载体放射化学纯的放射性同位素是放射化学的基本任务之一。利用内电解法分离和制备它们的报导还很少。从天然放射系中制取无载体铋同位素,过去经常是采用电解或电化学置换法。1959年     

p型掺杂GaAs液相外延材料的光致发光研究

对 Si 掺杂和 Zn 掺杂 p 型 GaAs 液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6 nm 和578.2 nm 的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10～300K 中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2 nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对 Si 掺杂 p 型 GaAs 样品 PL 谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺 Zn 的 p 型 GaAs 样品的 PL 谱,与掺 Si 样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(～950 nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。     

2EF55、2EF53系列绿色发光二极管

绿色发光二极管系出掺氮磷化镓半导体材料制成。它具有色泽悦目、视觉感受灵敏、体型小、高可靠、低功耗、响应速度快、单色性能好以及易与集成电路相匹配等特点。可广泛应用于各军事部门和经济部门,以及许多民用消费品中。例如作为仪器仪表、     

CuZnAl形状记忆合金中Ni的作用

本文研究了Ni对CuZnAl系合金的形状记忆性能和力学性能的影响。結果表明:合金中加入Ni后,(1)相变温度Ms变化不大,但相变热滞减小;(2)B2→DO_3有序转变温区变宽且移向高温,从而去马氏体稳定化措施所用的淬火介质也需要作相应调整;(3)马氏体相或母相的屈服强度略有下降,而硬化系数则略有增加,Ni还使CuZnAl合金中α相析出变得困难。这些影响主要是由于Ni的加入,改变了合金中原子间互作用能。     

单晶光纤光损耗测量

报导了单晶光纤损耗测量原理以及测量仪器的设计方案、特点、主要技术性能指标及测试实例。