用于横向RESURF器件击穿电压优化的电荷分配模型

A new quite simple analytical model based on the charge allocating approach has been proposed to describe the breakdown property of the RESURF （reduced surface field） structure. It agrees well with the results of numerical simulation on predicting the breakdown voltage. Compared with the latest published analytical model, this model has a better accuracy according to the numerical simulation with simpler form. The optimal doping concentration （per unit area） of the epi-layer of the RESURF structures with different structure parameters has been calculated based on this model and the results show no significant discrepancy to the data gained by others. Additionally the physical mechanism of how the surface field is reduced is clearly illustrated by this model.     

一种PN结隔离互补双极工艺

介绍了几种互补双极工艺的结构和特点，详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺；着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点，并对实际流片结果进行了讨论。     

热激励硅基谐振型压力传感器技术研究

提出一种以电阻发热实现梁激励的单梁硅基谐振型压力传感器结构。利用硅/硅键合、减薄抛光和IC工艺技术,开展硅基谐振型压力传感器技术的研究,解决了三维体加工与IC工艺兼容的关键技术问题,成功地研制出热激励硅基谐振型压力传感器样品。该器件在常压下测试,其品质因子Q值达到1362.5,证实了该谐振型压力传感器结构是可行的。这为研制硅基谐振型压力传感器提供了一种新的方法。     

中学生体育创新能力培养的初探

加强对当前中学生体育创新能力的培养,有利于中学生创新意识的形成和创新精神的发展,进而推动学校体育工作的改革与创新。而作为素质教育重要阵地之一的体育课课堂,又成为推动创新教育的重要场所。为此,笔者结合日常教学实践经验,作出以下几点探讨。     

基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术

对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法,该方法制备出了的薄膜厚度为10 μm,均匀性为±0.5μm,达到了厚膜SOI材料制备的指标要求,硅薄膜完好率达到70%以上,为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础.