用弯曲模型推导二组元复合材料杨氏模量新公式

用弯曲模型推导了适用于悬丝耦合弯曲共振法检测金属第二组元的杨氏模量的理论公式。通过实验数据计算。结果表明在两组元h2/h1≈1时与文献[2]的计算结果几乎接近，为用悬丝耦合弯曲共振法检测各种减振材料，陶瓷材料杨氏模量提供了理论公式；同时用改进后的弯曲模型推导出了适用于纤维复合材料横向杨氏模量的预测公式。     

a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响

采用MW-ECR CVD方法制备的a-SiH薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.     

用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究

用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响.结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103～104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料.     

p-Si薄膜在氢氟酸溶液中的电化学抛光

p-Si薄膜在氢氟酸溶液中的电化学抛光是通过阳极溶解降低薄膜表面粗糙度.本文用线性扫描研究了在不同的氢氟酸浓度下的电化学行为,发现随氢氟酸溶液浓度的增加阳极溶解速率也随之增加.当氢氟酸浓度为4％及6％时,可得到平整的表面.电化学抛光技术为制备光亮硅面提供了一种简单可行的方法.     

Simulation analysis of the effects of a back surface field on a p-a-Si:H/n-c-Si/n+-a-Si:H heterojunction solar cell

In order to investigate the effects of a back surface field（BSF） on the performance of a p-doped amorphous silicon（p-a-Si：H）/n-doped crystalline silicon（n-c-Si） solar cell,a heterojunction solar cell with a p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H structure was designed.An n^＋-a-Si：H film was deposited on the back of an n-c-Si wafer as the BSF.The photovoltaic performance of p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H solar cells were simulated.It was shown that the BSF of the p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H solar cells could effectively inhibit the decrease of the cell performance caused by interface states.     

新一代浮法玻璃在线缺陷检测设备及其应用

介绍了浮法玻璃缺陷检测新设备,阐述了检测系统在实际生产中的作用。     

高介电氧化钽薄膜制备与介电性能分析

在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O5薄膜,其相对介电常数为34.3,漏电流密度小于10-7A/cm2.电容量测试时,为了较好地消除高温退火时产生的SiO2的介质层对电容测试值的影响,用不同厚度氧化钽薄膜为介质层做成金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器,对这些电容器的电容测试数据,进行sigmoidal拟合,得到极限电容,从而计算出Ta2O5薄膜的介电常数.     

一种用于彩色胆甾相液晶显示的驱动电路

设计了一种用于彩色胆甾相液晶显示的驱动电路。电路根据P态刷新法和累计驱动法的驱动原理,实现了显示的多级灰度和彩色化,且利用了现有的商业液晶行列驱动芯片,因此具有结构简单,成本较低,易于实施等特点。     

等效电路法计算耦合腔慢波结构特性

耦合腔慢波结构的等效电路模型是实际情况的一种近似,冷测计算结果存在一定误差,特别是在整个冷测带宽内精度不能保持一致。为提高计算精度,通过对等效电路参数的分析,引入参数对间隙电容和耦合槽谐振频率计算公式进行了修正。利用修正的模型模拟了10 GHz~16 GHz的单槽和双槽耦合腔慢波结构,分析了修正参数对计算精度的影响,提出了不同修正方案来提高整个冷测带宽内计算精度,与电磁场数值计算结果最大相对误差为1.6%。计算结果表明修正参数可以将工程经验引入设计开发中,有效地提高等效电路模拟精度,对实际工程设计具有指导意义。     

脉冲激光沉积法制备立方焦绿石结构的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜

采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜。研究了随衬底温度的变化,薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。结果表明当衬底温度在550~650℃时,薄膜具有纯的立方BZN结构,并且在600℃时薄膜的晶粒发育比较完整,此时薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗。