把HyperSnap藏到系统托盘

HyperSnap是一款优秀的截图软件，但是笔者在使用的过程中发现一个问题，HyperSnap最小化时只是最小化到任务栏而不是托盘区，这就给我们的工作带来了不少的麻烦。这是我们可以通过相应的设置实现HyperSnap最小化到系统托盘区。[第一段]     

我国柔性版印刷技术应用和发展

<正> 目前我国包装印刷发展迅速,其印刷方式主要是胶印和凹印。由于柔性版印刷与胶印和四印相比在某些方面具有很强的优势,因此随着柔性版印刷技术的不断进步,制作加工工艺水准的不断提高,柔性版印刷技术在包装印刷加工领域中愈来愈引起人们的重视。     

鄂尔多斯盆地低渗透油气田勘探开发技术与展望

纵观世界各地,国外主要运用现场试验以及室内研究这两种主要方法。比如就美国来说,他们对各种技术加以利用,发挥多学科研究方法,比如地质、地震、测井等。和美国在低渗透油田开发技术层面相比,我国当前理论方面还不太成熟,发展迟缓,对开发的机理无法真正把握。事实上,我国还处于探索阶段。低渗透油田开发技术现状是将油藏工程理论作为其发展趋势的基础,总结相关理论和开发实践,以多学科方式集成技术。     

新春，数码照片个性化输出

说着春天就来了，想必各位DC一族已经准备好了大拍一场吧！，而如何将这些照片冲印出来展示给大家，却有多种方式。或许很多朋友首先想到的就是去数码冲印店冲印，这样省事方便、并且冲印出来的照片质量也不错。不过，通过这种方式冲印出来的照片却少了个人参与后期照片制作的乐趣，并且个人的秘密性也可能得不到保障。当然如果你家中有的打印机，那何不自己在家中实现照片的数码冲印呢，并且完全可以发挥你对照片的个性化设计。今天我就来介绍一下如何打印出一张精美的数码照片，让大家在家中尽情享受春天的气息！     

基于柠檬酸-改性淀粉的金川铜镍精矿降镁提质

金川镍矿石所含Cu²⁺、Ni²⁺对矿石中大量的含镁硅酸盐脉石矿物有较强的活化作用,导致镍铜混合精矿MgO含量较高,Ni、Cu品位难以提高。为实现矿山的提质降镁目标,在柠檬酸-改性淀粉药剂体系下进行了选矿试验。结果表明,在磨矿细度为-0.074 mm占90.12%条件下,采用1粗2精3扫、中矿顺序返回流程,可取得Ni、Cu品位分别为9.03%、5.18%,MgO含量6.18%,Ni、Cu回收率分别为85.30%、72.82%的镍铜混合精矿。与模拟现场工艺的实验室试验指标比较,精矿Ni、Cu品位分别提高了0.28、0.07个百分点,精矿Ni、Cu回收率分别提高了3.41、1.04个百分点,MgO含量下降了0.58个百分点。因此,在富含镁硅酸盐脉石矿物的铜镍硫化矿石的浮选中,柠檬酸-改性淀粉具有显著的提质降镁效果。     

电子书显示材料及技术的研究进展

<正>1、引言计算机技术的发展和因特网的普及,借助计算机等媒介浏览"电子出版物"已极为普遍,相对传统图书,电子书可轻松携带和阅读更多信息内容,更具有创造性和交互性,它集成了视频、动画、音频和图形、图像、文字,极大增     

印刷色版的设计表现及艺术效果

在现代印刷品设计中,一个美术设计者不但要通过平面构成和版面形式去设计印刷品的样式,而且还要了解印刷工艺中诸因素的影响,特别是印前制作中最关键的要素。也就是说,这些要素控制着设计到成品的效果,控制着形象创新的力量——这就是印刷中色版的要素,它影响着工艺手段到设计思维的创新。印刷色版是由印刷方式决定的。这种方式在现代的印刷工艺过程中表现为:叠色版的先后秩序维系着印刷成品的色彩品质与艺术表现力,而色版互换的设置又关系到印刷品的图像与文化内涵的创意效果。因此,色版的设计运用不仅涉及到印刷工艺的界定,而且包含着设计…     

高阻隔AZO包装薄膜制备与性能研究

为满足类似饮料、果汁、啤酒及熟制即食食品的保鲜、保质需求,制备对O2,CO2和水蒸汽等有高阻隔性的包装材料,采用靶材Zn与Al质量比为1:19,在普通PET薄膜表面制备具有高阻隔性能的包装薄膜.通过XRO衍射,对薄膜的结构和形貌进行了表征.采用透氧测湿测试仪器对不同工艺参数进行研究分析,结果表明,制备的AZO薄膜晶体结构择优取向性好、结晶度高,ZnO的离化式C轴方向拉伸力会引起衍射峰呈C轴择优取向,在适宜的工艺条件下,可制备得高阻隔性的包装薄膜.     

AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模

基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD).对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计.通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去嵌后的S参数与直流I-V、C-V特性曲线提取了器件的本征参数.综合寄生和本征参数建立了器件的小信号模型,将模型仿真结果与器件的实测结果进行了对比,同时引入误差因子评估了模型的准确度.结果表明,在0.1～10GHz内,回波损耗相对误差小于4.1％,插入损耗相对误差小于3.7％,验证了所提出模型的可行性和准确性.     

氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的影响

采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处理条件(ICP功率250 W,射频功率60 W,压强0.8 Pa,氧气流量30 cm³/min,时间5 min)下,欧姆接触电阻为0.41Ω·mm,比参照样品接触电阻降低了约69%。分析认为经过氧等离子体处理后,在近表面处产生了一定数量的N空位缺陷,这些N空位表现为浅能级施主掺杂,有利于欧姆接触的形成。通过采用氧等离子体表面处理工艺制备的AlGaN/GaN HEMT,在+2 V的栅极偏压下获得了0.77 A/mm的最大漏极饱和电流。