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采用磁控溅射法制备了SmTbFeCo/Cr/TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了不同的Cr中介层厚度tCr对薄膜的磁性能和层间交换耦合的影响.VSM检测结果显示:薄膜的垂直磁性能随着tCr的变化而变化,其中饱和磁化强度Ms的变化曲线呈明显的周期振荡特性.饱和场Hs、(1-M/Ms)随tCr的变化曲线表明,两个磁性层的层间交换耦合随着tCr的增加,在反铁磁耦合与铁磁耦合之间振荡变化,周期为16(A),耦合强度逐渐衰减.分析表明,矫顽力Hc的变化主要源于Cr中介层对SmTbFeCo层微结构的影响,而Ms的变化则与层间交换耦合作用有关.文中还分析了稀土非晶膜的氧化问题. 相似文献
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