MOSFET半桥驱动电路设计要领

本文针对如何设计MOSFET半桥驱动线路进行了深入分析,其中对半桥驱动芯片的工作原理、自举电容的计算以及相线振铃和相线负压的产生作了详细分析并给出了相关实验波形。     

理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性

半桥、全桥和LLC的电源系统以及电机控制系统的主功率MOSFET、同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管,其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。功率MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比,其反向恢复速度要低很多,反向恢复电荷也要大很多,因此反向恢复的特性较差。这样,导致二极管的开关损耗增加,降低系统的效率,同时,也会产生较高的振铃,影响功率MOSFET的安全工作。功率MOSFET数据表中,通常给出了一定条件下的Qrr和反向恢复的时间,并没有给出和实际应用相关     

应用于线性调节器的中压功率MOSFET的选择

对于一些输出电压比较高、输入电压范围波动大的应用,例如输出24V,输入电压范围为26～36V,由于成本考虑或找不到合适的集成线性稳压调节器,仍然会采用中压功率MOSFET作为调整管的分立元件方案。通常在开关电源中,功率MOSFET工作在关断或完全导通状态,而在线性稳压调节器以及其他的一些功放应用中,     

MOSFET半桥驱动电路设计要领

本文针对如何设计MOSFET半桥驱动线路进行了深入分析,其中对半桥驱动芯片的工作原理、自举电容的计算以及相线振铃和相线负压的产生作了详细分析并给出了相关实验波形。     

理解功率MOSFET的电流

通常,在功率MOSFET的数据表中的第一页,列出了连续漏极电流ID,脉冲漏极电流IDM,雪崩电流IAV的额定值,然后对于许多电子工程师来说,他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中,它们如何影响系统以及如何选取这些电流值,常常感到困惑不解,本文将系统的阐述这些问题,并说明了在实际的应用过程中如何考虑这些因素,最后给出了选取它们的原则。     

理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量

在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到达些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响,以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。本文将论述这些问题,同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。     

功率MOSFET并联应用

从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。