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1.
Al薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用剥离法对Al薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对Al薄膜图形化的工艺参数。 相似文献
2.
用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了碳氮膜(CNx),膜层厚度约80 nm.采用Ar/N2等离子体溅射纯石墨靶,研究了基片偏压对CNx膜机械特性和微观结构的影响,详细分析了基片偏压对CNx膜性能影响的机理.实验结果表明,当基片偏压为 30 V时,CNx膜层性能良好,硬度约为31.48 Gpa,摩擦系数约为0.14,磨损率为6.75×10-15m3/m,系数x接近于4/3. 相似文献
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5.
为了研究低能N+注入诱导金黄色葡萄球菌对其进化的影响,通过低能N+注入诱变获得耐药突变株,利用基因组De novo测序分析其16S rRNA基因的突变与耐药性变化,探索低能N+注入驱动金黄色葡萄球菌16S rRNA遗传进化与耐药进化的机制。结果共获得158株耐药的金黄色葡萄球菌,其中11株诱变耐药菌的16SrRNA基因序列分别出现片段缺失,GC%从51.23%改变为50.91%~53.12%,V1,V2,V3和V6区发生多个点突变,并出现对诺氟沙星、万古霉素、庆大霉素的不同耐药特征。研究证明低能N+注入可以引发金黄色葡萄球菌16S rRNA基因的随机突变及其耐药进化,为分析低能N+离子注入加速16S rRNA变异和耐药基因从头起源提供新的遗传证据。 相似文献
6.
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脉冲真空放电离子密度的测量 总被引:1,自引:0,他引:1
由于采用脉冲放电沉积技术能够克服连续电弧离子镀沉积时产生的液滴及负偏压放电的缺点,特别是它在镀制类金刚石薄膜中显示出来的独特性能:不含氢和硬度高,使其在薄膜沉积技术中越来越受到广大研究者的重视。为了更深入地研究薄膜的沉积工艺和薄膜性能之间的关系,迫切需要对脉冲真空放电等离子体的微观参数进行深入透彻的研究,如离子密度及其空间分布等。本文介绍了测量脉冲真空电弧离子源离子密度的方法,并采用该方法测量了脉冲真空电弧离子源离子密度及其空间分布,分析和研究了影响离子空间分布的各种参数。 相似文献
9.
研究了一种基于BCB材料的牺牲层接触平坦化技术,用于红外焦平面阵列Post CMOS工艺之前对读出电路表面的平坦化,以利于微测辐射热计微桥阵列与读出电路的集成。利用该方法成功将2μm的电路表面突起,平坦化为表面起伏56 nm的平面,可替代会给器件带来颗粒和损伤的化学机械抛光(CMP)技术。并在该平坦层上方成功进行了非晶硅敏感薄膜的沉积、微桥结构的图形化以及同时作为牺牲层的BCB的释放。通过实验研究了BCB膜层的厚度与转速、固化温度的关系,实验发现BCB的收缩率随温度小范围变化,约为30%。研究了BCB的等离子刻蚀特性,表明该材料适合用等离子刻蚀的方法进行接触孔的刻蚀和牺牲层释放。最后,利用BCB牺牲层接触平坦化技术成功地在读出电路(ROIC)芯片上制作了160×120面阵的非制冷红外焦平面阵列。 相似文献
10.
在目标探测识别系统中,采用多通道滤光片可以提高目标与背景的信噪比,从而实现对目标信号的精准探测。基于纳米压印的阵列结构多通道滤光片制造技术,对滤光片间隔层硬模具的表面精度和结构精度具有较高的要求。根据多光谱滤光片的设计结果,基于单点金刚石车床,采用快刀伺服加工方式,实现多通道滤光片间隔层模具的高精度制造。并采用白光干涉检测技术,对模具的表面形貌进行了检测。通过分析表明,对5×5阵列结构的多通道滤光片,其加工结果与设计值吻合良好,横向尺寸精度与纵向尺寸精度均优于5%,完全满足设计要求。该技术为多通道滤光片的大规模、批量化制造提供了技术支持,同时也为非周期阵列光学元件的制造提供一种有效的手段。 相似文献