用In2O3薄膜制成的高感度半导体O3传感器

用In_2O_3作敏感膜研制出小型固态高感度(sensibilty)(10×10~(-9)~1×10~(-6)O_3传感器.研究了膜厚、气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响,发现AET(AdsorptionEffect Transistor)型O_3传感器具有灵敏的响应特性.并分析了薄膜表面的化学吸附及其对薄膜电导的影响,以及AET作用对O_3非常敏感的物理机制.     

用InO3薄膜制成的高感度半导体O3传感器

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