全文获取类型
收费全文 | 84篇 |
免费 | 11篇 |
国内免费 | 45篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 5篇 |
化学工业 | 6篇 |
金属工艺 | 12篇 |
建筑科学 | 11篇 |
矿业工程 | 9篇 |
轻工业 | 18篇 |
水利工程 | 3篇 |
无线电 | 63篇 |
一般工业技术 | 7篇 |
冶金工业 | 3篇 |
自动化技术 | 2篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 2篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 2篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 6篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 3篇 |
2009年 | 9篇 |
2008年 | 10篇 |
2007年 | 21篇 |
2006年 | 9篇 |
2005年 | 18篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 5篇 |
2002年 | 7篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 3篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有140条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
立方相GaN的持续光电导 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 . 相似文献
2.
(ZrAl3+ZrB2)/Al复合材料的制备和微观组织结构 总被引:2,自引:0,他引:2
采用混合盐反应法,以KBF4和K2ZrF6粉剂为原料在铝熔融体中制备了(ZrAl3 ZrB2)/Al复合材料.借助于X射线衍射仪、电子探针和透射电镜对复合材料的物像和增强相进行了观察,结果表明ZrB2颗粒呈等轴或等轴颗粒状,为六方结构,尺寸大部分小于1μm,ZrAl3相大部分呈长条状,两种增强相整体分布较为均匀,且与Al的界面光滑洁净,没有其它界面生成物.对复合材料的硬度做了测试,原位合成增强相的引入显著提高了复合材料的HRB硬度. 相似文献
3.
4.
5.
6.
本文研究了在Si(111)衬底上生长GaN外延层的方法。相比于直接在AlN缓冲层上生长GaN外延层,引入GaN过渡层显著地提高了外延层的晶体质量并降低了外延层的裂纹密度。使用X射线双晶衍射仪、光学显微镜以及在位监测曲线分析了GaN过渡层对外延层的晶体质量以及裂纹密度的影响。实验发现,直接在AlN缓冲层上生长外延层,晶体质量较差, X射线(0002)面半高宽最优值为0.686°,引入GaN过渡层后,通过调整生长条件,控制岛的长大与合并的过程,从而控制三维生长到二维生长过渡的过程,外延层的晶体质量明显提高, (0002)面半高宽降低为0.206°,并且裂纹明显减少。研究结果证明,通过生长合适厚度的GaN过渡层,可以得到高质量、无裂纹的GaN外延层。 相似文献
7.
8.
通过对西铭矿下组煤8号煤层开采以后,在9号煤层中6个工作面9条回采巷道的统计分析,提出开采相同地质条件下,9号煤层中的合理巷道位置以及送道时间,从而带来的经济效益和社会效益。 相似文献
9.
10.
利用淀粉的酿酒酵母基因工程菌研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
酿酒酵母是发酵工业的重要微生物,主要用于酒精、啤酒和面包工业。在酿酒酵母中已表达的淀粉酶基因包括α-淀粉酶基因和糖化酶基因。外源淀粉水解酶能在酵母中高效表达并分泌,其主要因素在于:在构建载体时组入强启动子;酿酒酵母中带有合适的酵母受体系统;具有外源淀粉酶蛋白的分泌信号;外源淀粉酶基因的遗传稳定性和生长介质。构建分解淀粉酿酒酵母已取得相当大的进展,但在构建的多数菌株利用糊精及淀粉的能力仍然有限,而且降解速率较慢。构建直接分解和利用淀粉的酵母工程菌,可简化工艺、节省能源和酶制剂、降低成本,有重要的应用前景。(孙悟) 相似文献