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纳米交叉杆结构是最近引起人们广泛关注的一种纳米电子器件.它以高密度、低功耗、容错与并行等方面的良好性能,成为构建新型纳米存储器的热门选择.哈佛大学、惠普公司等相关研究机构已经在这方面取得了长足的进展.然而尽管电路模型一致,不同的研究思路导致在底层的物理结构和构造方法存在很大差异.回顾了近年来纳米交叉杆领域的研究进展,按照器件的物理结构和工作原理的不同将各种设计方法归纳为4类,并从制备方法和导线材质等其他多个方面作出对比,得出了一些初步的结论. 相似文献
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纳米交叉杆结构因其结构简单、制备工艺成熟而成为研究者最为关注的一种纳米存储器件.纳米交叉杆基于具有双稳态性质的纳米器件,有机分子层交叉结构和碳纳米管交叉结构都是比较成熟的纳米交叉结构.基于纳米交叉杆的存储器一般由外围微-纳结构多路选择器和存储阵列组成,要想在高密度存储的基础上实现快速读写必须研究并行读写方法.并行读写的基础是并行寻址,一种可选的并行寻址方式是地址加掩码的模式,这种模式后再加一个筛选向量即可大大增加并行寻址的灵活度.纳米交叉杆存储器的并行写可分为写1和写0两个子过程,安排最佳的并行访问方式是二维平面上的背包问题.并行读过程可以一次将一行或一列的内容读取出来. 相似文献
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