多晶硅薄膜压阻器件

<正> 利用半导体压阻效应的压力传感器,由于信息处理技术的进步,正面向高精度、高灵敏、高可靠、低成本发展。其主流是用单晶硅制造的扩散型压力传感器。但最近,使用不同的材料作衬底,通过SiO_2等做绝缘,在其上沉积多晶硅薄膜的SOI结构的压力传感器由于可望制低成本耐高温及抗腐蚀性强的压力传感器     

用阳极氧化腐蚀工艺生产硅膜压力传感器

为了减少压力灵敏度偏差,已用阳极氧化自停腐蚀工艺制造了硅膜压力传感器。在肼水溶液中采用自停腐蚀工艺,精确地控制了膜的厚度。p型压阻元件是用硼离子注入在(100)晶向的n型外延层上制造的,在n/p硅外延片的n型层上加5V正电压,则厚的p型衬底就被腐蚀掉,腐蚀停止后,一层薄的n型膜被留下了。膜的尺寸为1mm×1mm,厚度是20±2μm,晶片之间的压力灵敏度偏差小于20％。     

高等级公路路基沉降原因分析与防治措施探讨

结合工程实际,分析了高等级公路路基沉降原因,探讨了防治措施。     

机场道面砼塑性收缩裂缝原因分析与防治

结合工程实际 ,通过试验对机场道面砼塑性收缩裂缝原因分析、探讨了防治措施     

用于测定水中溶解氧的电化学传感器的设计与评价

本文设计了带有石墨糊阴极和银丝阳极的伏安传感器(Voltammetric cell)来测定水中的溶解氧。评价了它在实验室与现场研究中的重要特点。与铂阴极传感器相比,这种传感器有如下几个优点,灵敏度高、线性响应范围宽、可忽略二氧化碳的影响,并且响应时间较短,此外,这种传感器成本低,结构简单。