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讨论了纳米线的电阻测量及引起高电阻的原因,即宽带多型、纳米尺寸和未掺杂本征阻值大等.对纳米碳化硅线分别进行了直径为5 nm、10 nm、20 nm纳米线电阻测量,在电压为100 V以内测量其电阻达100 MΩ.此外,纳米线MOSFET晶体管室温出现I-V高电流特性.讨论了这一现象的产生可能性,提出了假设,认为纳米线晶体中的电子在某种机制的作用下,形成电子对,这时,库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子才能解释这一现象.其公式为ΔE=(ne)2C.对纳米线进行拉曼光谱鉴定和投射电子显微镜鉴别,显示出纳米线为4H碳化硅多型的衍射和光谱特点. 相似文献
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使用dBASEⅢ命令建立数据库后,难免要更改或者扩充已建立好的数据库结构.一般修改数据库结构是采用立即工作方式,在操作时稍不小心就会破坏整个数据库的内容,特别是对初次接触dBASEⅢ操作者尤为重要.为了避免操作失误,我们编制了一个小程序来完成修改数据库文件结构(参见程序请单). 在修改数据库结构时.若修改其中某一字段的名称而不改变其宽度,或修改其宽度不改变其名称时.原数据库的内容可以恢复:著名称和宽度均一次被修改,原数据库中的数据将无法从后备文件申该回.为了保证修改后的数据库能自动恢复原有的数据,不丢失有用的数据.在本程序DOWHILE…ENDDO循环中,设计了一个定位显示菜单,目的是设置提示.当修改某一字段的名称和宽度时,只能是第一步先修改字段名,第二步再修改该字段的宽度. 需指出.程序中第12行的条件语句: 相似文献
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