射线检测技术在钢材尺寸测量中的应用

射线检测技术是一种重要的无损检测技术,目前在钢材的尺寸测量中得到了广泛的应用.简述了射线检测技术在钢材厚度测量、镀层测量和形状测量中的应用,并分别介绍了采用射线原理制作的普通测厚仪、镀层测厚仪和凸度仪的基本原理、工业应用和技术指标.     

少投影钢管截面CT重建研究

通过钢管截面CT图像,可以获取其大部分的参数指标,全面检测钢管质量.但是CT图像重建往往需要大量投影数据,这些数据的采集和计算非常耗时.为了加快钢管检测的速度,本文研究了少投影条件下钢管截面的图像重建算法并通过模拟数据验证了其重建的效果.我们分别用ART、MAP和OSEM这三种迭代重建算法对仿真模型进行了重建试验,并根据钢管本身的先验知识分布对算法做了改进,使重建图像质量有了明显的改善.模拟试验的结果表明,ART、MAP和OSEM算法可以实现少于20组投影数据下钢管截面较为精确的重建,并且可以做到10组投影下的近似截面重建.     

钴-60数字辐射照相集装箱检测系统的研究与开发

清华大学核研院提出并实现了用钴 60γ数字辐射照相技术来在线检查集装箱的方法与装置。所用γ射线源为 3～ 11TBq的常规钴 60工业探伤机 ,安全可靠、价格低 ,但辐射强度却比加速器的低数百倍 ,对获取高质量图像造成极大困难。为此 ,专门研究、发明了极高灵敏度与探测效率的阵列探测装置 ,又研究、发展了特殊低噪声前端电路和计算机信号与图像处理技术 ,使得此种装置的检测性能与昂贵的加速器集装箱检测系统相当或更好 ,而占地少、价格低、易操作、好维护、辐射安全性很好、可靠性极佳 ,在国际集装箱检测装备行业中独树一帜 ,具有明显优势     

代数迭代算法进行CT图像重建的研究

对CT代数迭代重建算法(ART)进行了研究,讨论了射线数目对图像重建效果的影响,并采用平滑方法,改善了重建图像质量,加快了收敛速度,得出了效果满意的工业CT图像。     

基于GaAs pHEMT工艺的S波段高增益驱动放大器的设计研究

本文介绍了一种基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺的S波段高增益单片微波驱动放大器(Drive Amplifier, DA)。该放大器采用了基于负反馈技术的共源共栅(Cascode)放大器驱动共源放大器的双级放大结构,可以实现良好的功率增益和高线性度特性。本文采用0.5 μm GaAs pHEMT工艺验证了该设计方法的可行性。实测结果显示,在5 V供电时,该DA在2.5-4.2 GHz频带内其小信号增益(S21)为26 dB,输入回波损耗(S11)小于-7.5 dB,输出回波损耗(S22)小于-6.5 dB,输出三阶交调点(OIP3)为30.5 dBm,饱和输出功率(Psat)为26.5 dBm,最大功率附加效率(PAE)为25%。该芯片面积为1.3 mm2。该芯片实测结果可以满足5G无线通讯系统中Sub-6G频段的典型驱动功率放大的指标要求,具有广泛的市场应用前景。     

带温度补偿的Ka波段CMOS堆叠功率放大器设计

介绍了一款基于55 nm CMOS工艺,带温度补偿电路的Ka波段堆叠高效功率放大器（power amplifier,PA）.采用了一种新型的针对晶体管堆叠结构的温度补偿电路,该补偿电路由两个二极管和四个电阻组成,结构简单,易于实现.通过调整堆叠放大器各个栅极偏置电路中的电压,使得PA随温度变化的增益和输出功率得到有效补偿,增强了电路的可靠性和热稳定性.基于Agilent ADS软件的版图仿真结果显示:电路的最大输出功率为20.1 dBm,频带内功率附加效率（power additional efficiency,PAE）为20%~30%,大信号功率-1 dB带宽为15 GHz（46%）.在-40℃到125℃的温度范围内,采用新型温补偏置电路与传统偏置电路相比,小信号增益的温度波动从2.2 dB改善到0.1 dB,显著提高了功放的热稳定性,证明了所提出的温度补偿电路对于在宽温度范围内校正功率放大器增益变化的有效性.     

数据挖掘技术及工具研究

本文对数据挖掘技术作了简要的概述，分析了数据挖掘的体系结构和数据挖掘的分析方法，并简要介绍了几种数据挖掘工具以及它们的特点，在文章的最后展望了数据挖掘的发展方向。     

板带材凸度检测中的射线源数目研究

在轧钢生产中,板带材凸度检测是板形测量的重要的内容之一.文章研究了射线源数目对板带材凸度检测的影响,分析单射线源法的局限性,阐释了双射线源法的工作方式,简述了多射线源法对系统精度和经济性的影响.最后根据实际情况得出结论:双射线源法是目前测量板带材凸度的最优方法.     

射线源的定位精度对工业CT图像质量的影响

通过仿真试验,研究了工业CT中射线源的定位精度对CT图像质量的影响,得出了对工业CT系统有参考价值的设计参数,并在实验样机上获得了较好的工业CT图像.     

Kr、Xe高压气体电离室时间特性研究

对充氪、氙气体的高压电离室的时间响应特性进行理论分析和推导，分别对这2种气体及其混合气体电离室在射线入射后的脉冲上升时间进行测量。测量结果与理论计算值吻合。由此验证了此类电离室响应时间可达到10ms以下，满足成像要求。 