大数据环境下的软件测试研究

大数据的本质在于研究不同数据类型和数据集之间潜在的规律.当前的信息社会中,物联网、互联网等技术在不断创新,大数据技术与电子商务、社交、交通、医疗等行业不断融合,从而源源不断地产生了海量数据.由于大数据系统的数据特点具有数据量大、种类多样等特性,涉及的数据类型包含了各类的结构化和半结构化的数据,导致大数据应用服务系统前所未有的复杂.从而使得传统的软件测试在当前大数据环境下已经不再适用.大数据环境下的软件测试步骤分为:数据预处理验证、MapReduce验证、数据仓库验证和分析报表验证,并具体表现在数据的种类、样本、方式、测试工具的硬件需求、结果验证和测试人员专业性的差异上.如何进行有效的软件测试成为众多学者和科技人员研究关注的焦点.本文针对大数据背景下的软件测试研究对于当前软件测试的思路扩充具有借鉴意义.     

认知任务驱动的fMRI脑功能网络构建方法

针对脑功能网络的构建受到特定大脑图谱对兴趣点描述准确度及覆盖度的限制,提出了基于认知任务信息和神经影像数据的脑功能网络构建方法。首先计算fMRI体素对于认知任务的敏感度,然后在此基础上选取兼顾分布均衡和去中心化的大脑兴趣点,从而构建任务驱动的脑功能网络。实验通过在人脸情绪识别认知任务相关的梭状回构造任务驱动的脑功能网络,其度中心性、聚类系数、全局效率、局部效率这四个复杂网络指标均优于典型大脑图谱梭状回中兴趣点构成的网络。结果表明,计算得到的大脑兴趣点具有更强的整合性,更适合用于表征特定认知任务下的脑功能网络。     

热退火对 InGaN薄膜性质的影响

对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况.结果表明,有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃.通过对变温霍尔实验数据的拟合,初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.     

透射电镜质厚衬度成像和衍射衬度成像及相互转换的实验技术方法

透射电子显微镜作为观察材料微结构的主要手段之一,其显微图像可直观揭示材料微结构信息和空间分布情况。振幅衬度是一种重要的显微成像衬度机制,基于振幅衬度能够使显微像揭示材料的微结构特征。尽管显微像衬度的产生都来源于电子波的振幅,但是振幅衬度像还可以进一步化分为质厚衬度像和衍射衬度像。由于像衬度形成机理的差异,质厚衬度像和衍射衬度像中所显示的微结构细节有明显不同。本文介绍了如何在透射电镜观察中实现质厚衬度成像和衍射衬度成像,及其相互转换的实验方法和操作技术细节。利用透射电镜的不同成像衬度模式能够在样品的同一视场中观察到更多的材料结构细节,可以在多层次和不同尺度上获得更丰富的微结构信息。     

并网运行风/光/储微电网容量配置双目标优化

目前关于微网电源容量配置的研究主要针对独立运行情况,虽配置结果可保证系统运行的可靠性,但增加了冗余投资。针对并网运行的风/光/储微电网,制定了其运行策略,分别建立了微网经济性和供电可靠性模型,采用多目标模拟退火粒子群优化算法求取模型的最优解集,得到了微网中风力和光伏发电及储能系统容量配置方案。结果表明,相比于独立运行,在相同的可靠性要求下,以并网运行的角度配置风/光/储微电源容量关系,可明显降低微网投资成本。     

公共政策视角下的城市设计变革

本文从公共政策视角认为城市设计在快速城市化进程中,针对法定城市规划体系中二维城市总体规划,从三维乃至四维角度的控制和引导城市空间形态,成为沟通城市规划和建筑学的转换器。从公共政策视角通过对城市设计地位确立、内容形式、规划实施、政策保障等方面进行研究,发挥城市设计在城市特色化建设过程中的独特作用。     

应急救援气体侦检仪报警阈值设定研究

由于缺乏针对性的国家标准和行业指导规范,气体侦检装备的报警阈值设定,仍然以国家职业卫生标准为参考依据,不能适应应急救援处置场景下的需求。针对这一问题分析"职业接触限制"OEL和"立即威胁生命或健康浓度"IDLH的有关标准及设计意义,提出了一种广义环境IDLH指标值计算方法,研究提出了新的气体侦检仪两级报警阈值设定策略,明确了关联的战术行为。研究对科学指导消防应急救援人员个人防护以及指挥决策,具有极其重要的意义。     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.