多目标规划模型

油田开发方案的规划问题在本质上是一个多目标的问题,多目标规划描述比线性规划描述更能反映油田实际情况。采用多目标规划方法描述经济问题,并利用加权法将这一多目标规划问题化为线性规划问题。其具体的做法是:将多个重要的目标放到目标函数中,并用适当的方法将它合并为一个目标,将其余的目标变为各部门产量的上、下限约束条件。     

无腹筋钢筋混凝土简支梁受剪特性的神经网络模型初探

采用人工神经网络方法，分别探讨了均布荷载及两点加载下无腹筋钢筋混凝土简支梁的斜截面抗剪特性，建立了相应的模型，寻找到两种加载形式下，钢筋混凝土简支梁的各种输入参数与实际抗剪承载力之间的关系。通过原始实验结果和理论模型分析结果的对比，表明了该模型的可行性及适用性。     

控制过程中的抗干扰研究

以提高控制系统精度为目标，详细分析了现场中各种可能的干扰源及其解决方法     

分形微通道换热过程强化研究进展

随着微纳制造技术的快速发展,微电子芯片、微反应器和微燃料电池等微型器件受到了研究者越来越多的关注。微型器件的应用不仅对加工工艺和材料具有较高的要求,而且需要高效的热管理来维持其性能。特别是对于高集成度和高频化的高性能微电子芯片而言,超高的热流密度不仅会严重制约芯片的性能,而且会显著影响芯片的寿命和可靠性。鉴于传统的风冷和液体单相对流换热冷却方式无法满足散热需求,具有高换热系数的微通道换热技术成为解决微型器件散热问题的重要途径。然而,常规的微通道换热技术普遍存在着高流动阻力和非均温性的难题,限制了该技术的实际规模化应用。近年来,研究者开发出一系列新型的分形微通道技术用于换热过程强化。本文系统总结了不同类型的分形换热微通道（包括Y、H、T、Ψ、康托、科赫等分形结构）,并对各分形微通道的原理和性能进行了着重介绍,最后对分形微通道换热的现存挑战和未来发展方向分别进行了分析和展望,以期为换热过程强化的发展提供新的研究思路。      

超高密度磁记录的课题与展望

介绍了超高密度记录的研究开发状况 ,论述了垂直磁记录技术的课题以及采用TMR磁头的、记录密度为Subterabit in2 的记录 读出特性。作为高密度记录所必需的头 盘界面技术 ,提出了接触记录技术的课题 ,还就STM (Scanningtunnelingmicroscopy)存储器论述了未来超高密度技术     

平行梁式电容传感器力学性能的仿真与分析

针对S型平行梁式电容称重传感器参数结构设计问题,运用有限元软件ANSYS Workbench对平行梁式弹性体结构进行参数化模拟仿真,基于二次多项式曲面拟合建立其结构力学性能与主要结构参数的函数关系,并通过算例分析验证了拟合公式的有效性。研究表明,拟合公式对复杂仿真计算后的结果有很好的近似,能更好的反应实际情况,公式结构更加简洁,具有较快的收敛速度、较高的精度和较好的推广能力,有利于准确实现平行梁式电容称重传感器结构参数设计。     

宋蒙（元）钓鱼城之战与襄樊之战比较研究

宋蒙(元)战争中的钓鱼城之战与襄樊之战都是当时具有重要历史转折意义的重大事件。钓鱼城之战,南宋胜利,蒙古失败,使宋祚得以延长20年;而襄樊之战的结局却恰恰相反,南宋失败,元朝胜利,是宋蒙(元)战争的转折点。通过对这两次战役的比较研究,重点探讨了两次战役的性质、目的、方式、结局与它们之间的联系以及胜败原因等问题。     

电力营销中远程用电检查技术的应用

当前用电环境发生了巨大变化,给电力企业带来了新的挑战。电力是一种特殊的商品,也有营销,其用电量检测和控制是提高电力营销的关键内容。用电客户和用电安排越来越广泛,以往的检测方法早已不足。远程验电技术的使用可以有效地应对检测和检验的困难局面。本文论述了远程验电的重要技术,并对关键应用技术进行了分析。     

Microstructure and growth kinetics of silicide coatings for TiAl alloy

In order to improve the oxidation resistance of Ti Al alloy, silicide coatings were prepared by pack cementation method at 1273, 1323, and 1373 K for 1-3 hours. Scanning electron microscopy(SEM), energy dispersive spectrometry(EDS) and X-ray diffraction(XRD) were employed to investigate the microstructures and phase constitutions of the coatings. The experimental results show that all silicon deposition coatings have multi-layer structure. The microstructure and composition of silicide coatings strongly depend on siliconizing temperatures. In order to investigate the rate controlling step of pack siliconizing on Ti Al alloy, coating growth kinetics was analyzed by measuring the mass gains per unit area of silicided samples as a function of time and temperature. The results showed that the rate controlling step was gas-phase diffusion step and the growth rate constant(k) ranged from 1.53 mg~2/(cm~4·h~2) to 2.3 mg~2/(cm~4·h~2). Activation energy(Q) for the process was calculated as 109 k J/mol, determined by Arrhenius' equation: k = k0 exp[–Q/(RT)].