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MOS VLSI可靠性浅析 总被引：1，自引：0，他引：1
本文论述了ＭＯＳＶＬＳＩ主要失效机理，即薄氧化层击穿，热载流子效应，铝－硅接触失效，电迁移以及软错误，并给出了预防上述失效的一些技术措施。 相似文献
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本文主要述评了接近和低于 0 .1 μm的 MOS硅集成电路技术面临的挑战。重点论述了晶体管结构、阈值电压调整、电路互连及光刻技术等热点问题 相似文献
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在ML油田,由于地震资料品质差、井数据缺乏、开发程度低等原因,采用常规阻抗反演进行油气预测效果不理想,为此应用多属性概率神经网络技术进行油气预测。在研究区首先进行多属性分析,优选出振幅包络、泊松比等7种地震属性,建立起地震属性与油气之间的非线性关系;然后对已钻遇岩性油气藏砂体进行油气预测,将预测结果和实际测井数据进行对比说明预测结果真实可靠;最后对潜在的岩性油气藏目标砂体进行油气预测,得到目标砂体的油气分布概率以及厚度图,从而指导油田岩性油气藏的勘探与开发。 相似文献
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一、工艺说明和光刻顺序 (1)光刻顺序 掩膜功用正反刻 1#有效区正刻 2#多晶硅反刻 3李接触孔正刻(铝对N 和多晶硅) 4#接触孔套刻正刻(铝对N和多晶硅) 5#铝反刻 6#压焊孔正刻 往:各次光刻一律用负性光刻胶对于等平面工艺再加一次掩膜(O#、场区、正刻)或将1#光刻改为正胶,对2次刻孔设计在1#与2#之间须加一次2次孔的正刻。 (2)工艺流程,「}一‘莽:怜:!画︸︺︺画巫画画画孟成┌─┐│ │└─┘┌─┐│ │└─┘,,.州“.龙‘。乡丫犷·,.7获嗽┌───────┐│了”’一”’- │└───────┘┌───────────┐│峪.J告-白… 相似文献
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双总线和组合程序可控逻辑和只读存贮器的芯片为 LSI-11/23提供了速度及可扩充的微指令存贮器。 相似文献
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