提高L80C86系列10种电路性能的研究

简介了提高 L80 C86系列 1 0种电路性能的技术原理和方法     

提高L80C86系列电路性能的研究

简介了提高Ｌ８０Ｃ８６系列１０种电路性能的技术原理和方法。     

高选择性的SiO2/Si干法腐蚀工艺

高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位，本文通过大量实验研究出了一种以CHF3和SF6作为主要进给气体，通过调节CHF3和SF6的流量来相应地控制等离子体中有效的F：C比率从而实现较高的腐蚀选择比或较高的腐蚀速率、两步法腐蚀引线孔的反应离子刻蚀工艺。     

高压CMOS电路的设计及制造工艺研究

介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂漏区以形成漂移区等提高MOS晶体管击穿电压的一系列技术措施,使MOS晶体管的源漏击穿电压提高至35V以上,电路在24V电压下可以正常工作。     

场区加固工艺技术研究

通过对应用在空间辐射环境下的CMOS LSI电离辐射效应的分析,从中找出电路加固的思路和方法.在电离辐射效应中,CMOS LSI的SiO2中正电荷的累积和SiO2-Si界面态的改变引起的参数变化,会严重影响电路的性能和功能.SiO2中正电荷的累积与其厚度成正比.在CMOS电路中,起MOSFET隔离作用的场区SiO2层厚度最大,是加固的重点之一.主要介绍一种场区加固工艺技术.通过制造SiO2-Si3N4复合场介质层,减小了场氧化层的厚度并改变了SiO2-Si界面状态.在电离辐射效应试验中,使CMOS电路的漏电电流在辐照前后的变化量降低了1～2个量级,为进一步提高电路的抗辐射性能提供了一种可供选择的工艺加固方法.