用于光场成像的超构衍射光栅阵列优化

为提高矢量光场显示亮度和视角均匀性,提出了一种应用于圆偏振光场成像的超构光栅结构。利用严格耦合波分析,逐像素对超构光栅结构进行仿真,研究了入射光偏振状态、光栅结构、入射角度对-1级光衍射效率的影响规律。仿真结果表明,圆偏振光显示可以使得光栅衍射效率稳定高效,当光栅周期为500 nm时,与基于TE和TM设计的光栅结构相比,圆偏振光设计的光栅结构衍射效率提高了18.5%和2.6%;光栅高度和占空比对衍射效率具有明显的影响。综合考虑光栅制备难度、衍射效率和视角均匀性,设计了一种高度为0.6μm,占空比为0.4的光栅阵列结构应用于圆偏振光场显示,系统衍射效率可以达到40%以上,具有较优的综合性能,对超构光栅设计制备和裸眼3D显示具有一定指导意义。     

中国在IEC舞台上努力进取——记中国代表团参加第70届IEC大会

2006年9月25日至29日．第70届IEC大会在德国柏林举行，受IEC中国国家委员会王凤清主席委托．国家认监委谢军副主任、国家标准委宿忠民主任助理率领中国代表团参加了此次大会。国家质检总局葛志荣副局长作为中国提名的IEC／CB（理事局）候选人也参加了此次大会并成功当选为IEC／CB成员。大会期间．中国代表团参加了IEC／理事会、IEC／SMB（标准管理局）和IEC／CAB（合格评定管理局）等多个IEC管理层的会议．以及与欧洲电工标准化委员会（CENELEC）等多项双边会谈．还参加了IEC成立百周年的庆典活动：承办了IEC／PASC（太平洋地区标准大会）成员酒会。此外．9月18日至9月30日．来自中国各技术对口单位和企业的近160多名专家参加了51个IEC技术委员会、分技术委员会（TC、SC）和工作组（WG／PT／MT）的会议。中国代表团是此次IEC大会的最大的代表团之一。     

IEC国际标准化新势态--来自69届IEC大会管理层的信息

2005年10月14日至22日,第69届IEC大会在南非开普敦举行,由国家标准委和国家认监委组成IEC中国国家委员会代表团参加了此次IEC大会管理层的会议及多项双多边会谈。     

庆城油田西区长7油藏差异性及稳产对策研究

庆城油田西区长7页岩油是国内最早规模开发的页岩油油藏。2018年开发以来,已经建成了年产油100×104t的生产规模,在开发实践中不断深入研究油藏特征和开发规律。通过长7页岩油储层平面和剖面上的差异性的刻画,探索形成了页岩油水平井单井产能主控因素分析,优化了开发初期焖排采阶段合理开发技术政策,固化了递减、含水率、气油比、动液面四项开发规律认识,为页岩油持续高效开发提供借鉴。     

沙颍河堤防工程地质勘察工作的分析

本文针对现阶段沙颍河堤防工程地质勘察中资料准备、地质测绘、勘探方法、勘探布置、试验方法、成果整理等方面存在的一些问题,根据有关规范、规程和对已做工程的经验提出几点建议,以供讨论。     

国家标准委在京举办“欧盟标准体系”英文讲座——访BSI国际政策部技术政策主任魏德沃先生

2005年11月22日,国家标准化管理委员会在京举办了“欧盟标准体系”英文讲座,来自国标委的领导及在京的标准化专家以及BSI标准部北京首席代表共计几十人参加了此次讲座。国标委国际标准部张琳主任主持会议。英国标准协会(BSI)技术政策部主任、ISO/TMB(技术管理局)成员魏德沃(Trevor Vyze)先生首先用英文介绍了欧洲标准化委员会(CEN)、欧洲电工标准化委员会(CENELEC)、欧盟委员会等组织情况,此外还重点介绍了欧洲的标准体系及欧盟标准和技术法规相关信息,随后,BSI标准部北京首席代表许纪新用中文对欧盟标准体系进行了详细的讲解。…     

土工模袋护坡施工技术在河道治理中的应用

文章从施工技术的角度阐述了土工模袋施工技术在沙颍河流域治理中的应用,着重介绍了土工模袋护坡的施工工艺和施工方法,并指出了土工模袋在施工中需要注意的几个问题,为同类工程在工程设计和生产应用方面提供了参考、借鉴。     

基于智能视频图像分析的安全帽识别

为解决石油行业工作现场人员不佩戴安全帽的情况,避免因违规操作或违反规定,造成不必要的伤亡,提出一套基于施工现场安防监控系统的智能安全帽检测系统。设计一套综合利用安全帽的颜色、轮廓,以及多层神经网络分类建立的统计模型,对是否佩戴安全帽进行检测。结合实例,验证了算法的有效性和系统的可行性。实例结果表明,该系统能很好检测出现场没佩戴安全帽的人员,一定程度上杜绝了安全隐患,减少了事故的发生。     

通用总线控制器抗SEU加固设计研究

随着集成电路制造技术的发展,寄存器和SRAM等存储单元在空间辐射环境中越来越容易受到单粒子翻转(SEU)效应的影响.传统抗SEU加固方法分为工艺加固和设计加固,前者依赖于工艺平台,难度大、周期长,后者仅针对芯片内部特定SEU敏感单元.通过提出一种针对通用总线控制器的芯片级抗SEU加固设计方法,采用冗余编码和刷新技术,可以进一步提高芯片的抗SEU能力;通过划分影响域和添加中断源,便于定位芯片中SEU敏感位置,从而有利于片内刷新操作和后续设计优化.实验结果表明,与传统的辐射加固方法相比,新方法具有更高的辐射可靠性和容错能力.