基于平行耦合线和开路枝节的小型带通滤波器设计

为了解决耦合线滤波器谐波抑制问题,提出了一种新的结构简单的平行耦合线带通滤波器.该滤波器由平行耦合线和开路枝节组成.首先基于耦合线带通滤波器的等效电路图,通过奇偶模理论得到设计方程,并设计了带通滤波器;分析了滤波器特性与电参数之间的关系;通过仿真优化得到了滤波器的物理尺寸;制备并测试了滤波器的S参数,仿真结果和测试结果基本一致.该滤波器具有结构简单、面积小等优点,并通过引入传输零点实现了较宽的阻带抑制和较好的选择性.     

基于ADN8830的非制冷红外焦平面温度控制系统

在光电领域中,有许多光器件对温度稳定性的要求很高.非制冷红外焦平面作为不需制冷的红外探测器有很好的应用前景.为了保证焦平面上各敏感元的温度稳定性,设计了一个高性能、高精度的温度控制系统.介绍了采用赛贝克效应工作的热电制冷器(TEC)的工作原理,详细讨论了基于ADN8830的温度控制电路的设计.通过实验对所设计的温控系统...     

金属有机化学气相沉积法生长纯闪锌矿结构P型砷化镓纳米线

垂直纯闪锌矿结构P型砷化镓纳米线通过金催化金属有机化学气相沉积法在砷化镓（111）衬底上生长。一系列P型掺杂样本是在生长过程中通入不同流量的二乙基锌实现的。在高II/III族比下（II/III族比>9.1%）,P型砷化镓纳米线存在一个弯曲临界长度,超过这个长度纳米线发生弯曲。弯曲的两个可能原因被讨论。运用能量散射X射线方法验证Zn元素已经掺入纳米线,并且对应II/III=0.2%,掺杂浓度约为8*10(18)。     

不等长十字形谐振器双频带带通滤波器设计

提出一种简单结构的双频带带通滤波器,由不等长十字形谐振器和平行耦合线馈电结构组成.由于滤波器分布电路具有对称性,首先利用奇偶模分析法对带通滤波器奇偶模输入阻抗、传输零点和传输极点进行分析.所设计的滤波器具有3个传输零点和4个传输极点.传输零点的位置不随阻抗参数的变化而变化.在4个传输极点中,第1个偶模传输极点和第1个奇模传输极点构成了第1个通带,剩下2个传输极点构成了第2个通带.与等长十字形谐振器滤波器相比,该结构多了一个极点.滤波器的通带带宽可以通过调节传输极点位置进行调整.给出了滤波器实物的结构参数,并且利用仿真软件进行仿真优化,得到了滤波器插入损耗和回波损耗的仿真结果.制作和测试了滤波器,给出了测试结果.仿真结果和测试结果基本上一致,验证了设计理论的正确性.     

基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述

Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标。基于气-液-固模式的纳米线生长方法具有对纳米线形貌及晶体质量可控的优点,成为当前制备高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的主要生长技术。催化辅助生长是一种有金属催化剂参与的纳米线生长方式,它可以有效降低反应物裂解能量、提高材料成核质量、控制材料生长方向、提高反应效率、稳定材料晶体结构。自催化生长是指在纳米线生长过程中不添加其他物质作为催化剂,而由反应物自身起催化作用的生长。由于自催化生长在反应过程中未引入其他物质,所以生成物纯度较高。Ⅲ-Ⅴ族异质结构半导体纳米线常具有两种半导体各自不能达到的优良光电特性,其又可划分为纵向异质结构和横向异质结构。Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线除了可以在与其自身材料相同的基底表面上生长之外,还可在与其材料不同的基底表面上生长,即在异质基底表面生长。异质基底生长在材料兼容、光电集成等方面具有十分广阔的应用前景。本文对基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长进行了综述,并对近些年基于催化辅助和自催化的纵向异质结构、横向异质结构以及异质基底的成长研究现状进行了总结,为推动Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线制备技术的发展提供了参考依据。     

TC35i在汽车指纹报警模块的设计与实现

针对现有汽车报警器的缺点,论文提出了利用符合全球移动通信系统GSM标准的远程通信模块TC35i来实现汽车安全报警的思路。按照这种思路,完成了汽车指纹报警模块的硬件设计和软件编程,并在实验室条件下实现了报警模块的功能测试。测试结果表明,软件和硬件设计达到要求,报警模块能正常报警。该报警模块能够克服现有汽车报警器的缺点,具有覆盖面广、成本低费用便宜、无噪声污染、不受地区限制等优点,因而具有实际应用意义。     

海南椰子文化和循环经济的构建和发展

文章从区域循环经济理论的角度出发,分析当前海南椰子产业发展存在的问题。在深入挖掘海南椰子文化的前提下,提出建立椰子产业园区和椰子的农业循环经济发展的几点建议,以期实现椰子产业的发展壮大和海南椰岛文化的弘扬。     

Growth of pure zinc blende p-type GaAs nanowires by metal-organic chemical vapor deposition

Vertical p-type gallium arsenide（GaAs） nanowires with pure zinc blende structure were grown on GaAs （111） B substrate by metal-organic chemical vapor deposition via a Au-catalyst vapor-liquid-solid mechanism.The p-type doping was investigated by additional diethyl zinc（DEZn）.In the highⅡ/Ⅲratio range（Ⅱ/Ⅲ>9.1%）,there exists a critical length beyond which kinking takes place.Two possible reasons are discussed.Zn occurrence in the nanowires was verified by energy dispersive X-ray（EDX） analysis.Corresponding toⅡ/Ⅲ= 0.2%,the doping concentration is about 8×10¹⁸ cm^-3.     

福建陶瓷工业的现状与发展思路

福建是驰名国内外的陶瓷生产大省,在古文明史上曾谱写下光辉的篇章。但在近、现代,由于旧中国的落后,作为舶来品的建筑卫生陶瓷,从无到有,走过了艰辛的发展道路,解放以来,特别是改革开放使我省陶瓷工业沐浴春风,获得飞速发展,取得令人瞩目的成就。1 福建陶瓷工业现状 八十年代以来,福建陶瓷工业异军突起,迅速发展始于90年代初,其势如雨后春笋,迅速蔓延。自89年豪盛(福建)公司成立,引进了国外设备,90年投产后,使人们领略了先进设备和新产品带来的规模效益,逐渐从家庭式作     

生长温度对InAs/GaAs横向异质结构纳米线形貌及晶体结构的影响

低维半导体材料因其超常的物理性能而受到了广泛关注和研究。本文采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术,利用金作催化剂制备了InAs/GaAs横向异质结构纳米线,并讨论了不同生长温度情况下InAs横向异质材料对纳米线形貌及晶体结构的影响。提高InAs材料的生长温度,可以有效地抑制纳米线的纵向生长,使其实现横向异质结构的生长。在异质结构纳米线横向生长时发生了侧面晶面旋转的现象,这是纳米线表面重构后侧面趋向能量更低的晶面的结果。本文的研究工作为推动微纳技术的发展提供了相应的理论基础和科学依据。