CoCr合金薄膜厚度对其结构及磁性的影响

本文用射频磁控溅射法制备了厚度20～600nm的CoCr合金薄膜。研究了薄膜厚度tm对薄膜结构和磁特性的影响。薄膜生长的初生阶段，存在着一个非晶、混乱取向的动生层。垂直磁各向异性变差的原因是薄膜还没有形成hcp结构。随CoCr薄膜厚度tm的增加，垂直磁特性变好，原因是薄膜的结晶完整性改善及晶粒取向度提高     

热处理温度对NiFe薄膜磁电阻的影响

本文用磁控溅射法制备了厚度20～200nm的NiFe合金薄膜。研究了热处理温度对NiFe薄膜电阻（电阻率）、各向异性磁电阻地和软磁性能的影响。适当温度下的热处理可以减小NiFe薄膜的电阻、增大其各向异性磁电阻比，从而制备出性能较好的薄膜磁性材料     

热处理温度对NiFe薄膜磁电阻的影响

本文用磁控溅射法制备了厚度２０－２００ｎｍ的ＮｉＦｅ合金薄膜。研究了热处理温度对ＮｉＦｅ薄膜电阻、各向异性磁电阻比和软磁性能的影响。适当温度下的热处理可以减小ＮｉＦｅ薄膜的电阻、增大其各向异性磁电阻比，从而制备出性能较好的薄膜磁性材料。     

垂直磁记录CoCr薄膜取向特性分析

用ＶＳＭ测量了不同最大外磁下ＣｏＣｒ薄膜的磁滞回线角度关系，分析了不同矫顽力Ｈｃ和不同膜厚ｔｍ薄膜的矩形比Ｓ（θ）和取向度ＯＲ（θ）特性，讨论了垂直磁记录用ＣｏＣｒ薄膜的取向特性，虽然ＣｏＣｒ合金薄膜有较好的晶体学取向（小的Ａθ５０），但低矫顽力Ｈｃ薄膜在剩磁状态磁化强度易轴明显偏离薄膜的垂直方向，而高矫顽力Ｈｃ１薄膜，无论外场怎样变化，磁化强度易轴总是垂直薄膜平面。膜厚增加，磁化强度垂直取向度变好。     

矫顽力角度关系H_c(θ)——CoCr合金薄膜反磁化过程分析

改交最大外磁场,用 VSM 测量了不同角度下垂直磁化 CoCr 合金薄膜的磁滞回线。分析了 CoCr 薄膜的矫顽力角度关系,讨论了 CoCr 薄膜的反磁化机理     

CoCr合金薄膜垂直磁化矫顽力与畴壁钉扎

考虑到晶粒边界K'、A'、Ms'与晶粒的不同，即晶界对畴壁的钉扎作用，用矫顽力新理论探讨了CoCr合金薄膜垂直磁化的矫顽力机制。低Cr含量，低矫顿力CoCr薄膜及磁化过程为畴壁位移。随Cr含量增加，晶界的富Cr现象加剧，反磁化过程为转动反磁化，对应于高桥涵力薄膜。CoCr合金薄膜的连续模型到粒子模型是一个连续的过渡过程