非晶-微晶混合相硅应变计传感器材料的研制

<正> 目前生产中广泛使用的应变计传感器(应变片)有金属应变计和单晶半导体应变计。金属应变计的温度特性、线性都较好,但灵敏系数K小,通常K=2～4,利用半导体压阻效应的半导体应变计虽然灵敏系数较大,很容易得到K=50～150。但其温度特性和线性都较差,     

带温度补偿的半导体集成压力传感器

<正> 本文介绍一种带温度补偿电路的单块集成压力传感器。加于传感器桥上电压V_B和电桥输出电压△V_0由下式给出:     

快速热退火多晶硅薄膜压阻特性研究

本文首先系统的研究了用 LPCVD工艺在温度为 625℃、气相硼硅原子比分别为 1.6 × 10~(-3)和2.0×10~(-3)时淀积的、其后又分别经900℃、1050℃、1150℃ 10秒钟快速热退火(RTA)处理的多晶硅薄膜压阻特性.然后,基于上述结果,着重研究了气相硼硅原子比分别为 1.6×10~(-3)、2.0 × 10~(-3)、4.0 ×10~(-3)和5.0 × 10~(-3)时淀积,其后只经1150℃ 10秒钟快速热退火处理的多晶硅薄膜压阻特性.在上述淀积条件下,与900℃ 30分钟常规热退火(FA)相比较,得到了快速热退火的最佳条件.