半导体激光器参数综合测量法及其应用

本文描述一种激光器参数综合测量方法和实验装置,不需移动待测样品,能测量光强-电流特性、近场和远场、激射光谱等激光器参数,以及对器件的结构、发光位置、腔面完整性等进行观察。     

光纤浓度测量仪的研制

在溶液中,溶质含量多少会影响溶液的折射率变化,作者据此研制成光纤浓度测量仪,即以特定光纤在溶液中的传输衰减情况来确定溶液的浓度.同时也研究了测量中相关的一些问题及其解决方法,如采用了恒功率光源、温度补偿等技术,使测量仪取得了较好的测量结果.     

计算机自动测试硅雪崩二极管

本文根据Si-APD二极管的测试要求,设计了暗电流、光电流的采样程序,倍增M、响应度S、量子效率η等计算程序,并设计了专用程序:对数程序、数据处理程序和绘图程序。能满意地测定并绘制反向偏压V～暗电流I_D、反向偏压V～光电流I_(pi)和反向偏压V～倍增M曲线。并对一系列有用参数打成表以备查用。最后对程序设计的参数合理性,数据处理的可靠性作了讨论。     

半导体激光器近场、远场的显示和测量

一、引言半导体激光器是当前光纤通信、光盘记录等领域中的关键性器件,而半导体激光器质量的优劣是多种参数决定的,其中发光近埸是一个重要参数。通过对激光器发光近埸的测最可以得到有源区均匀性,发光位置和电流扩展等信息。如果把发光近埸和光谱对应地进行测试,可以了解模式随电流的变化情况。     

光纤浓度传感器的设计与分析

本文按照文献[1]所提供的理论模型,计算了各类光纤(塑料、石英、玻璃光纤)的弯曲半径R,光纤半径a对光纤传感器的光衰减率γ或光相对传输率T的影响。计算结果表明大部分溶液R取0.5mm,a取1mm为最佳,并得到了实验证实。而对某些接近光纤折射率的溶液测定,则R不能取得过小,a也不能取得过大。计算结果分别与硫酸、乙醇、氯化钠溶液的实验结果进行了比较,均得到了比较满意的结果。     

Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究

Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5～31015cm-3、厚度约为20m的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为11015cm-2的质子轰击,在直径为150m的光敏区外形成高阻保护区。半透明的Pt肖特基势垒膜用特殊的蒸发法形成。器件的峰值响应波长随偏压的改变可以从8600()移动到8835(),截止波长可延伸到9700(),观察到明显的Franz-Keldysh效应。器件倍增可达100以上;暗电流仅几纳安;过剩噪声系数为7;上升、下降时间短于1ns。这种器件可与FET实现平面集成。     

硅雪崩光电二极管的计算机自动测试

本文根据硅雪崩光电二极管(Si-APD)的测试原理,设计了一套计算机测试系统,包括光 源部分、直流偏置扫描电源、二进制权电阻器、XF-01选频放大器、A/D,D/A接口转换器和 JS-10小型计算机.文中对设计的合理性、使用的可靠性及测试误差进行了分析和讨论.实 践证明,该测试系统能满足计算机自动测试Si-APD直流或低频参数的要求.     

半导体激光器模式和参数的综合测量

一、前言半导体激光器在现代光电技术中是十分重要的器件。为了研制性能优良的激光器,必须对激光器的激射模式和重要参数进行测最研究。过去,人们对这些重要参数的测量大都是