小概率计算方法

检测器的小概率计算的解析方法在许多情况下往往是很困难或甚至是不可能的,即使对检测器作了简化后也是如此。最直接的方法是在计算机上采用模拟计算方法。若以P_(fa)表示模拟所得的小概率P_(fa)的估计值,若要求D(P_(fa))/E(P_(fa))≤10~(-2),相应的模拟次数N≥10~2/P_(fa),若P_(fa)=10~(-6),则N≥10~8。     

汽车近远光灯自动转换及障碍预警系统的研究

介绍了汽车近远光灯自动转换及障碍预警系统的电路设计,该系统由控制模块、光敏检测模块、激光检测模块、蜂鸣器报警模块等组成。重点研究了系统各个模块的功能实现以及工作过程。该系统具有灵敏度可调、可靠性高、操作方便、重量轻、体积小等特点。     

一种0.5μm GaAs PHEMT工艺的单刀九掷射频开关芯片

描述一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的射频开关芯片的设计实例.该开关为单刀九掷,包括GSM系统四个通信波段的两条发射通路和四条接收通路以及TD-SCDMA系统三个通信波段的三条收发通路.通过采用一种直流升压驱动电路来改善线性度,可以达到射频开关SJ功率容量为35 dBm,芯片的实测指标为所有通路的插入损耗不...     

0.5um砷化镓pHMET工艺之低功耗2.5-5GHz低噪声放大器

本文利用0.5um砷化镓pHMET工艺设计并制造工作于2.5-5GHz的单片微波集成低噪声放大器。为了达到高的带宽,本文利用的宽带匹配及负反馈的技术。测试结果显示,在2.5-5GHz频率范围内,该放大器有最小2.4dB的噪声系数及17dB的增益,输入输出回波损耗均小于-10dB,并且功耗只有33mW。据作者所知,本文是0.5um pHEMT工艺下在相近的产品中具有最小的功耗。     

一种砷化镓HBT高速预分频器的设计

介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器。该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构。测试结果表明,最高工作频率达到18GHz。预分频器芯片在5V的电源电压下的静态电流为85mA。     

一种0.18μm数字工艺的12bit 100MS/s流水线型ADC设计

描述一个基于TSMC 0.18μm数字工艺的12 bit 100 Ms/s流水线模数转换器的设计实例。该模数转换器采用1.5bit每级结构,电源电压为1.8V。包括十级1.5 bit/stage和最后一级2bit Flash模数转换器,共产生22bit数字码,数字码经过数字校正电路产生12 bit的输出。该模数转换器省去了采样保持电路,电路模块包括:各个子流水级、共模电压生成模块、带隙基准电压生成模块、开关电容动态偏置模块、系统时钟生成模块、时间延迟对齐模块和数字校正电路模块。为了实现低功耗设计,在电路设计中综合采用了输入采样保持放大器消去、按比例缩小和动态偏置电路等技术。ADC实测结果,当以100 MHz的采样率对10MHz的正弦输入信号进行采样转换时,在其输出得到了73.23dB的SFDR,62.75dB的SNR,整体功耗仅为113mW。     

单片毫米波CMOS集成电路技术发展动态

论述了深亚微米下CMOS集成电路在毫米波应用中的潜力,分析了单片毫米波CMOS集成电路的特点.同时,根据已有研究成果,综述了CMOS工艺在毫米波应用中的关键问题,并且通过对现有研究成果及工艺发展的分析,讨论了单片毫米波CMOS集成电路的发展趋势.     

3～20GHz宽带行波低噪声放大器的设计

介绍了基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计的3～20GHz MMIC宽带行波低噪声放大器。在整个宽频带范围内实现了大于11.5dB的功率增益,增益平坦度1.5dB,小于4.2dB的噪声系数,以及良好的输入输出回波损耗。最大饱和输出功率达到21dBm。该4级级联行波放大器的芯片面积仅为1.5mm×1.5mm。     

A low power 2.5-5 GHz low-noise amplifier using 0.5-μm GaAs pHEMT technology

正A two-stage 2.5-5 GHz monolithic low-noise amplifier(LNA) has been fabricated using 0.5-μm enhanced mode AlGaAs/GaAs pHEMT technology.To achieve wide operation bandwidth and low noise figure,the proposed LNA uses a wideband matching network and a negative feedback technique.Measured results from 2.5 to 5 GHz demonstrate a minimum of 2.4-dB noise figure and 17-dB gain.The input and output return loss exceeded -10-dB across the band.The power consumption of this LNA is 33 mW.According to the author's knowledge,this is the lowest power consumption LNA fabricated in 0.5-μm AlGaAs/GaAs pHEMT with the comparable performance.