亚20nm节点后栅工艺体硅FinFET器件参数优化研究

文章研究了亚 20nm 节点后栅工艺体硅 FinFET PMOS 器件制作过程中一系列工艺参数对器件微缩的影响。实验结果表明细且陡的梯形Fin结构有更好的性能。文章针对穿通阻挡层（PTSL） 和轻掺杂源漏扩散区 （SDE）的注入条件也进行了仔细地优化。SDE之后没有热退火过程的器件由于在源漏退火之后有更好的晶格再生因而拥有更大的驱动电流。带边功函数器件能够改善短沟道效应,而带中功函数具有更大的驱动电流。器件在微缩过程中针对金属栅的有效功函数需要折衷选择。     

基于PdPc-PANI杂化有机半导体气体传感器研究

阐述了以对甲基苯酚、4-硝基邻苯二晴、H2PdCl6为原料,在N2保护和碳酸钾的催化作用下,采用"摸扳法"合成酞菁钯(PdPc);以苯胺为原料,在酸性条件和重铬酸钾的催化作用下,采用"共溶蒸馏法"合成导电型聚苯胺(PANI),再通过共溶技术将PdPc和PANI在正戊醇、DBU作用下生成PdPc-PANI杂化有机半导体粉末,再采用平板电极结构结合真空镀技术制成薄膜型气敏传感器.通过TG-DSC确定了成膜工艺条件,电子扫描观察了气敏膜的微观形貌.性能测试表明,传感器对CH2O、NO2和SO2等有毒气体有较好的敏感性和选择性.     

多孔电极平板结构的PdPc/H2PtCl6杂化 有机半导体毒气传感器的研究

采用"摸扳法"以对甲基苯酚、4-硝基邻苯二晴为原材料,以N ,N二甲基甲酰胺为溶剂,在N₂保护和碳酸钾的催化作用下,合成了酞菁分子碎片,通过质谱分析确定了相对分子质量为243(理论值为243.34),验证了工艺过程的正确性。以共溶技术将分子碎片与氯化钯在正戊醇、DBU作用下合成墨绿色四取代对甲苯氧基PdPc,通过红外吸收光谱分析验证了其吸收峰的测量值与理论值基本吻合,确定了合成反应终产物,进而以一定比例将PdPc 、H₂PtCl₆共溶在甲醇溶液中,在30~50℃下48h杂化合成为有机半导体气敏材料。依据欧姆定律,并以激光微加工、半导体技术设计、制作了多孔电极平板结构,增大电极面积,降低了电极间距,比常用叉指电极结构的电阻降低了10³倍以上,使其电导率接近无机半导体数量级,利于后续电路信号采集。通过电镜观察了多孔电极的微观SEM形貌,确定其为连续、多孔的表面态,气孔在0.1~2μm,既保证了导电,又有透气的特征。以真空镀膜技术将气敏材料形成气敏膜,电镜观察其气敏膜的微观SEM形貌,基本层膜厚2μm,并有0.1~5μm微球结晶体嵌入,分布匀一,呈现继续互融生长趋势。以静态法测量其气敏特性,结果表明传感器对NO₂呈N型半导体,0.010%气体浓度下灵敏度为7.45倍;对NO呈P型半导体,0.010%气体浓度下灵敏度为0.25倍;响应时间为90s。对气体不同的变化规律说明其的气敏机理与气体性能有关。     

基于激光微加工Al2O3微结构Cl2传感器的制作及性能研究

以膜厚为250 μm的Al2O3膜为微结构基板、95#Al2O3瓷板为微壳结构体,设计并采用激光微加工技术制作了具有Φ0.2 mm微孔通道的微结构传感器.阐述了CuCl杂化修饰CuPc的工艺过程,并通过真空镀膜形成气敏膜.实现了主动吸气的检测模式,提高了响应时间和气敏性.通过SEM分析得到了良好的表面形貌和膜尺寸,用做电极和加热器Pt膜厚为500nm,敏感膜厚为150 nm,微壳深度为150～200μm.测试结果表明对Cl2具有较好的敏感响应,灵敏度为0.01%浓度下0.25倍,并呈现P型半导体的变化规律.研究了通气状态和加热电压对传感器响应和气敏性的影响.