钛酸钡薄膜的制备及其场发射特性研究

利用钛酸钡薄膜替代了金属-氧化物-硅结构冷阴极的氧化物绝缘层，并利用场发射扫描电镜、X射线衍射、EDS分析表征了钛酸钡薄膜。观察到低起始阈值的场发射现象，对可能的场发射机理进行了讨论。     

金刚石膜内晶粒尺寸和取向对其热导率的影响

研究了金刚石膜内晶粒尺寸和取向程度对金刚石膜热导率的影响。通过对衬底表面进行不同研磨时间的处理和适当的工艺条件，采用灯丝热解化学气相沉积（ＨＦＣＶＤ）的方法在单晶硅衬底上形成了具有不同晶粒尺寸和不同程度（１００）晶面取向的金刚石膜，并研究了其热导率。结果表明，由大晶粒和较高程度（１００）晶面取向的晶粒构成的金刚石膜具有热导率特性。     

基于多层结构理论的三维纳米多孔阳极氧化铝实时扩孔机理研究

多孔阳极氧化铝的孔径大小及其均匀性可通过扩孔进行改善。本文以3wt%磷酸作为刻蚀液,在实现PAA孔径扩大的同时,我们详细研究了三维状况下孔径形态的实时演变过程,发现PAA孔加宽在表面和截面两个方向上同时进行。在表面扩孔研究中,磷酸逐层蚀刻PAA内壁多层结构,随着扩孔时间的增加,扩孔速率不同。在截面研究中,当扩孔时间达到某一定值,由于扩孔速率不同,PAA顶部的扩孔过程较底部的扩孔过程相对较早完成,随后顶部扩孔速率逐渐降低,底部扩孔速率逐渐增加,当扩孔完成时,形成均一性良好的理想圆形小孔。同时,我们研究发现,过度增大扩孔时间,PAA基元结构将被破坏,并由于高纵横比形成纳米线,随后被刻蚀溶液腐蚀。这是首次通过实验对PAA扩孔机理在截面方向的演化过程进行研究。本文详细阐明三维PAA的实时扩孔机制,结合多层结构对机理进一步解释,对PAA薄膜的可控制备和扩孔机理的精准研究是很有意义的。     

金刚石膜的性质,应用及国内外研究现状

重点介绍了金刚石膜的性质，应用领域及目前国内外研究现状。     

金属卟啉L—B膜气敏元件的实验研究

传统的金属氧化物气敏元件因存在加热功率高、分散性大等不足之处而不够理想,若以L—B膜作为气敏功能膜就可避免以上缺点,但L—B材料的电导率较低,精确测量其     

CMOS/SOD电路的高温工作特性

采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。     

一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响．     

“自上而下”制作硅化镍纳米线

提出了“自上而下”制作硅化镍纳米线的方法，研究了制备出的纳米结构的形成过程及微观形貌。这种金属硅化物纳米线的制作方法对于集成电路制造很有应用价值。     

LB膜湿度传感器的研制

目前,陶瓷湿敏元件和高分子薄膜湿敏元件都存在一定的缺陷。为此,我们想利用新的材料及新的工艺来制作一种全新的湿度传感器,使它既具有陶瓷传感器能在高湿下使用的特点,又具有高分子薄膜传感器性能稳定、响应快等特点,并可改进工艺重复性不好的普遍性问题。LB膜是有机高分子材料有序组成的单分子层或多分子层厚的超薄膜,利用其制作技术使上面的想法有可能成为现实。     

使用金刚石膜热沉的半导体激光器特性研究

比较了使用金刚石膜热沉和传统的钢热沉的半导体激光二极管列阵在热阻和光输出功率方面的特性．与使用Cu热沉的器件相比，采用厚度为350～400μm，热导率在12～14W／（K·cm）的金刚石膜作为热沉的H极管列阵可使热阻降低45～50％，同值电流明显降低，而光输出功率提高25％，稳定性得到改善．表现出金刚石膜热沉在半导体器件散热方面的明显优势．