旋涂法制备碳纳米管阴极及其场发射性能的测试

采用Y2O3和Ni 作催化剂,在H2和He混合气体气氛下通过弧光放电法得到高纯度的单壁碳纳米管.在用热氧化提纯法对高纯度碳纳米管产物进行进一步提纯后,用这种碳纳米管粉末与酒精配制成悬浮液,通过旋涂、干燥、退火等工艺得到碳纳米管阴极薄膜.I-V测试表明用该法得到的碳纳米管薄膜具有良好的电子场致发射性能.     

局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其制备方法

描述了混合晶向技术原理以及各种硅衬底晶向的反型层中载流子迁移率特性,分析了应变硅技术对载流子迁移率的增强机理,介绍了DSL这种应变硅技术的工艺实现方法。提出了将混合晶向技术和应变硅技术两者有机结合以提高载流子迁移率的局部化混合晶向应变硅基本思路,分析了基于该基本思路的局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其电学性能。最后详细描述了局部化混合晶向应变硅CMOS结构工艺流程,为开发高性能、低功耗CMOS集成电路提供了一个科学合理的工艺制备方法。     

机械合金化制备的TiB_2的提纯

利用化学方法对机械合金化制备的TiB2 和MgO粉末进行分离 ,以便得到高纯TiB2 。结果表明可以利用盐酸对TiB2 和MgO粉末进行分离 ,分离后仅含有微量MgO杂质     

反应球磨技术制备纳米材料

本文综述了反应球磨技术制备纳米材料的研究及应用 ,重点对反应球磨反应机理作了探讨。研究表明球磨过程中引入的高密度缺陷和纳米界面大大促进了自蔓延高温合成 (SHS)反应的进行 ,且反应在纳米态下进行     

碳纳米管场发射压力传感器结构设计与测试

研制出了碳纳米管场发射压力传感器。在结构设计中提出了场发射压力传感器台阶双层阳极变形膜结构，计算机模拟证明，这种结构具有大量程与高灵敏度的优点。同时对这种结构的形变特性进行了实验测试，为传感器结构的整体尺寸设计提供了依据。最后对这种新型传感器的性能进行了测试，表明传感器的灵敏度为0．22μA／kPa(5kPa-101kPa)。     

一种新场发射压力传感器阳极膜结构的模拟与测试

提出了场发射压力传感器阳极变形膜的双层膜结构.计算机模拟证明这种结构与已报道的单层膜相比具有大量程与高灵敏度的优点.对这种结构的形变特性进行了实验测试,考虑到测量误差与湿法刻蚀造成膜表面的不平整因素,测实结果与模拟结果较为相符.