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1.
本对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评,重点强调了等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)的优势,进展及其在工模具领域的应用。 相似文献
2.
脉冲直流PCVD技术在盲孔底部沉积Ti-Si-N薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜。用扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD),球痕法(ball-Crater),显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pε)分析不同肓孔深度处薄膜的微观结构和力学性能。结果表明,随着盲孔深度的增加,Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低,薄膜厚度下降,薄膜与基体的结合强度有很大提高,膜基复合显微硬度下降,而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20mm处出现最大值。 相似文献
3.
TiN基纳米复合超硬薄膜的摩擦磨损特性 总被引:4,自引:0,他引:4
分别用磁控溅射、脉冲直流和射频等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术得到了TiN、TiSiN、TiBN及Ti-C-N纳米复合超硬薄膜。用球盘式摩擦磨损试验考察了各种薄膜的磨损特性。结果表明此类纳米复合超硬薄膜的抗磨损性能比单纯的TiN薄膜有显著提高,但复合薄膜的室温摩擦因数较高,高温下摩擦因数也仅有轻微降低,可能由于表层生成减摩氧化层所致。特别对于TiSiN薄膜,随薄膜中Si含量的上升,其耐磨损性能有所下降。 相似文献
4.
PCVD制备Til-xAlxN硬质薄膜的结构与硬度 总被引:2,自引:0,他引:2
用直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)方法获得了Ti1-xA1xN硬质薄膜,考察了A1含量x及高温退火对薄膜微观结构转变过程及其硬度的影。结果表明,制备的Ti1-xA1xN薄膜由3-10nm晶粒组成.随A1含量x增加,薄膜硬度升高,x超过0.83时,硬度开始急剧下降;结构分析证实x小于0.83,Ti1-xA1xN薄膜是固溶强化;x=0.83,薄膜中出现六方氮化铝相(h-AIN),热稳定性实验表明,Ti1-xA1xN薄膜的纳米结构和硬度在N2环境下可以维持到900℃。 相似文献
5.
6.
7.
PCVD在狭缝内壁沉积Ti-Si-N薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti-Si-N薄膜.经微观物相分析发现,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加,薄膜中Ti元素逐渐减少,Si含量增加,薄膜的相组成始终为nc-TiN/Si3N4.利用球痕法测定了各深度处薄膜的厚度,显微硬度仪测试了侧壁上深度不同位置处薄膜显微硬度.实验结果表明,随测试深度增加,薄膜厚度和显微硬度下降. 相似文献
8.
9.
10.
研究了射频等离子体辅助化学气相沉积获得的Ti-B-N薄膜的微观组织结构和力学性能.结果表明:B的加入使Ti-B-N薄膜中出现TiN纳米晶、BN非晶和TiB2非晶(nc-TiN/a-BN/a-TiB2)的复相结构.Ti-B-N薄膜组织致密,晶粒细小,薄膜硬度显著提高.用球盘式磨损实验考察了薄膜的摩擦学特性.与TiN相比,Ti-B-N薄膜抗磨损性能有显著提高,磨损机制为微观切削与疲劳磨损共同作用,但摩擦系数较TiN稍高. 相似文献