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EPC公司推出的第二代200 V增强型GaN场效应晶体管EPC2010,可实现高频率转换,性能更优势,并采用符合RoHS(《关于电子电器设备中限制使用某些有害物质的指令》)标准的无铅封装。与技术成熟、包含开启电阻的硅功率 相似文献
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RFMD开发出的新型RFIIAl020是一款50 V 280 W的大功率分立放大器,专用于L波段脉冲雷达,空中交通管制和监督以及通用宽带放大器应用。RFHAl020是匹配高终端阻抗的功率晶体管,可实现280 W功率及55%的漏极 相似文献
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在CS Europe 201 1德国法兰克福会议上,TriQuint的企业高级技术总监Otto Berger与RFMD基础设施产品组副总裁Jeffrey shealy就化合物GaN与GaAs半导体技术在无线领域的应用前景发表了讲话。Berger首先发布了一系列令人瞠目结舌的数据:2013年智能手机将占据手 相似文献
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Cree在美国巴尔的摩召开的2011年IEEE国际微波会议上展出最新封装的GaN HEMT功率晶体管和2.7-3.5 GHz频段(S波段)的大功率放大器MMIC。其S波段晶体管CGH31240F和CGH35240F,完全匹配到50Ω,分别在 相似文献
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全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而 相似文献
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RFMD新推出的RF6575 ZigBee前端模块(FEM)被同Atmel ATmega128RFA1单芯片解决方案相结合,由此创造出ATmega128RFA1参考设计。这款基于ZigBee的高性能解决方案为公共事业和消费领域在监控和节省能源方面提供更多控制。该解决方案主要针对2.4 GHz至2.5GHz ISM频段的便携式 相似文献
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美国LED照明技术研发暨生产商普瑞光电(Bridgelux)取得重大技术突破,其硅上氮化镓基LED技术已达到135lm/W的效能。普瑞表示,这是行业首个达到商用级性能的硅基LED。当大批量生产时,LED外延片大多采用蓝宝石或碳化硅衬底作为基板材料,但大尺寸的蓝宝石和碳化硅衬底价格昂贵,加工困难,且不易获得。 相似文献
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美国SemiSouth Laboratories公司发布了SiC制JFET新产品。此次发布的新产品共有两种。分别是以裸片形态供货的SJDC120R045和收纳在TO-247封装中的SJDP120R045。封装品可在175℃下工作。SemiSouth已经上市了常闭型SiC制JFET产品,此次上市的新产品为常开型。 相似文献
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行业领先的半导体代工厂Globalfoundries与IMEC纳米电子研发中心签订了一项致力22nm节点制程CMOS技术和硅上氮化镓技术研究的长期战略合作协议。该合作协议旨在研制高性能、高性价比的硅上氮化镓基器件。除Globalfoundries外,行业领先的IDMs、代工厂、化合物半导体公司及设备和衬底厂商 相似文献