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多发射极Si/SiGe异质结晶体管 总被引:1,自引:0,他引:1
在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_x/Si为纵向结构,梳状10指发射区为横向结构的异质结晶体管,利用双台面工艺方法制造出具有如下参数的器件:电流增益β=26、V_(CB)=7V、I_(CM)≥180mA、f_T≤ 2GHz,实现了高频大功率,充分显示出Si/Si_(1-x)Ge_x材料的优越性。 相似文献
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利用Ni/Ge/Au/Ni/Au和Pd/In两种金属结构成功地对体硅掺杂N-GaAs半导体(Nd=10~(18)cm~(-3))和离子注入N-GaAs半导体(dose=8×10~(12)cm~2,注入有源区深度(d=0.2μm)制成低阻欧姆接触。并对实验结果和接触机理进行了讨论。所得合金接触的接触电阻率分别为10~(-6)Ωcm~2(10~(18)cm~(-3)掺杂),和10~(-3)Ωcm~(-2)(8×10~(12)cm~2注入)数量级并具有长期的稳定性。接触制备方法和GaAs工艺相适。 相似文献
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高国陕 《苏州大学学报(工科版)》2007,27(6):42-44
研究闪存(NOR)的读取原理,并针对读取失效的模式进行分析讨论,通过测试的时延来解决测试程序时钟的误判问题。 相似文献
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