矩形光脉冲光电响应后沿拖曳性状研究

本文对矩形光脉冲光电响应后沿拖曳的形成机制进行了详尽的实验研究和理论分析，认为形成该光电响应时滞后曳的主要根源在于光生电子与空穴的多声子慢态复合．我们给出了削减后沿拖曳、提高光电响应速度的有效措施，从而促进解决宽带光通讯的速度瓶颈问题．     

半导体锗纳米团簇和纳米层的生成与结构研究

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构，并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDoM谱分别进行精细结构模拟，测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布，并且反馈控制加工过程，优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。我们测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL发光谱。我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构，我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好。     

光电动态检测系统砷化镓合金光源特性研究

本文给出光电动态检测系统的最近发展,特别对该检测系统采用的砷化镓合金光源特性进行了实验研究。给出精于纳秒量级的时间响应和较好的光谱特性,对光源的发光效率和光强－驱动电压关系作了研究。对光凶器件作了实际的光电动态检测,并检验了新发现的“Ｓｉ／Ｇｅ异结并接效应”＾［１］。     

硅锗合金氧化后生成的锗纳米结构的特性研究

我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理，用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品，获得10～80nm厚的硅氧化层和1nm厚的富锗层．新发现快速氧化生成的氧化膜表面有1～2nm厚的锗层．分析了锗纳米结构对应的PL发光谱，注意到锗纳米层对应的541nm波长的尖锐的发光峰和不同尺寸的锗原子团对应的从550～720nm波长的发光带．从量子受限模型和局域密度泛函计算出发。合理地解释了实验的结果．     

纳晶硅氧化层中的陷阱态(英文)

由Si-H键钝化的多孔硅的光致荧光(PL)发光频移遵循量子受限效应,随着纳米结构尺寸的变小PL发光频率从红外蓝移到紫外。多孔硅被氧化后,PL发光带的中心波长被钉扎在700nm~750nm范围,且强度明显增加。计算表明,氧化后的Si=O键或Si—O—Si键能在展宽的导带下方形成电子陷阱态。由此提出量子受限与氧化陷阱态模型可以很好地解释PL发光的钉扎和增强效应。该模型中的电子陷阱态扮演了重要的角色。     

激光加工形成硅基上的氧化低维纳米结构的PL发光

用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构,可以用激光与半导体相互作用产生的等离子体波模型来解释这些结构的形成机理.其中,在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的706nm波长的光致发光(PL)峰,在硅锗合金上形成的多孔状结构于波长为725nm处有极强的PL峰,在硅锗合金上形成的条形片状结构分别在波长为760nm和866nm处也有较强的PL峰;这些结构表面都覆盖有氧化硅层,在硅锗合金上的氧化硅层中镶嵌有纳米锗品团簇,并用相应的模型解释了这些氧化低维纳米结构的强光致发光效应.     

部分相干电子束的像差研究

在部分相干光理论中,决定像衬度的是积分项：式中的 Ｔ为完全相干光传递函数： Ｔ ＝ Ｐ ．式中的 Ｅ为部分相干光传递像差调制包络因子：（１）式显示出,Ｔ受到Ｅ包络因子的调制,其包络性状由光源和像差决定． 该结果应用到电子束情形,取一级近似：光源分布Ｓ（ ０）为圆盘型：对应的包络因子为：Ｅ１＝（贝塞尔函数形式）．考虑轴对称保差对应的ｗ有：　　　　　　　　　　　　　．求得圆盘分布电子枪的包络函数为：当源分布是高斯型分布： 　　　　　　　　　　　　　　　,求得高斯分布电子枪的包络函数为： 若对（２）式取二级近似…     

激光加工形成硅基上的氧化低维纳米结构的PL发光

用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构,可以用激光与半导体相互作用产生的等离子体波模型来解释这些结构的形成机理.其中,在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的706nm波长的光致发光(PL)峰,在硅锗合金上形成的多孔状结构于波长为725nm处有极强的PL峰,在硅锗合金上形成的条形片状结构分别在波长为760nm和866nm处也有较强的PL峰;这些结构表面都覆盖有氧化硅层,在硅锗合金上的氧化硅层中镶嵌有纳米锗品团簇,并用相应的模型解释了这些氧化低维纳米结构的强光致发光效应.     

传感器输入电路的改进

<正> 各种类型的传感器,其灵敏度都是相当重要的指标。现以光敏传感器为例,对感应头(传感头)电路作些研究,从而使灵敏度得以改善。有源型传感头多采用偏压式电路如图1所示。在这里,光敏变化△R_(ce)与输入电压u_b 关系为     

半导体光伏特性的非线性研究

本文报告对光伏特性非线性的最新研究。给出了半导体ＰＮ结反向线性互补效应的新发现,并分析了该效应对光电元器件的影响。实际采用动态光电检测,获得一些有用的结果。