激光测距传感器芯片功能异常分析

半导体芯片是所有封装半导体器件的核心功能部件，涉及芯片失效的分析是一项复杂且精细的工作，而对于特定使用性能的芯片，分析方法更是千差万别。本研究基于常见芯片发生异常的主要分析手段，介绍了激光测距传感器功能异常的失效分析方法，通过电性能测试及电路板的测试分析，缩小失效发生的功能区域，用I-U曲线测试确定失效的重现方法，最后使用光诱导电阻变化技术（OBIRCH）进行失效的定位，结合晶圆的去层化处理和聚焦离子束（Plasma FIB）微切，用扫描电子显微镜获得失效点的具体位置和形貌，确定失效原因为金属层连接通孔烧融，通孔熔断与造成芯片失效的机理一致，从而为芯片设计、生产工艺优化甚至客户的应用提供了有效的信息。     

钇掺杂对ZnO电阻片微观结构和电性能的影响

研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%～0.8%(摩尔分数)的氧化钇(Y2O3),其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%(摩尔分数)时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相(Zn-Sb-Y-O)和含铋相(Bi-Sb-O),尖晶石相、含钇相和含铋相的同时存在更加有效地抑制了ZnO晶粒的长大。添加硼酸和增加含钇相在很大程度上改善了ZnO电阻片的电性能。     

彩虹缺陷的失效验证方法及机理分析

随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战.彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象.本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应.并通过应用失效验证,电学参数测试,依据EMMI,OBIRCH的漏电流定位结果及电路原理图分析验证了彩虹...     

高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展

从材料组成、显微结构控制和制备工艺等方面综述了国内外高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展,并展望了提高ZnO压敏电阻片电位梯度和通流容量的途径.采用三价过渡金属离子掺杂、减小添加剂粉料颗粒粒度以及控制合理的烧成制度,能明显减小晶粒尺寸,降低气孔率,增加晶界数目,提高晶界势垒,从而有效提高ZnO压敏电阻片的电位梯度.     

绝缘材料知识（7）棉绸绝缘材料

棉绸是人们日常生活的必需品,用棉布和丝绸制作的衣服、被褥等具有很好的透气性、吸湿性和保暖性,深受人们的喜爱。然而棉绸也是应用最早且目前仍在广泛应用的电工绝缘材料。以棉布和丝绸为基材的绝缘漆布和漆绸,可作一般电机、电器的绝缘,其特点是力学强度高,柔软性好,但耐热性低,防潮、防霉性差。     

塑封集成电路中铜丝键合的腐蚀及其评价

腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素,其与湿度、温度、Cl离子摩尔分数以及电位密切相关。针对Ni Pd Ag Au预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象,研究其评价方法,并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以及电位对腐蚀结果的影响。将样品置于质量分数分别为0.5%、2.0%与5.0%的NaCl溶液中,对其进行高温、高湿预处理24 h,再进行96 h的高加速应力试验。结果表明,采用质量分数为5.0%的NaCl溶液进行预处理对加速腐蚀更有效,且腐蚀的键合点多数位于低电位引脚,少数位于高电位引脚。     

聚焦离子束双束系统在微机电系统失效分析中的应用

MEMS惯性传感器是一种将运动物理量转换成电信号的传感器,其工作原理涉及物理学、机械学、微电子学科等.随着MEMS芯片尺寸的不断缩小和性能的不断提高,传统的半导体失效分析方法已很难满足MEMS器件失效分析的需求.本研究结合MEMS器件的工作原理和FIB双束系统的特点,通过聚焦FIB双束系统分析MEMS芯片中3种常见的失...     

ESD与短脉冲EOS失效的微观形态分析及验证

静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等成像仪器以及芯片去层处理技术分析这两种失效机理的差别非常重要。通过实例分析这两种失效的机理及微观差别,从理论角度解释ESD和EOS的失效机理,分析这两种失效在发生背景、失效位置、损坏深度和失效路径方面的差异,同时对这两种失效进行模拟验证。这种通过失效微观形态进行研究的方法,可以实现失效机理的甄别,对于提高ESD防护等级和EOS防护能力有着重要的参考作用。