负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析

本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,沿沟道方向可以产生一个处于负电子微分迁移率范围之内的均匀电场,使沟道具有负RC效应而不出现高场畴.     

短沟道MOSFET阈值电压辐照增强漂移效应

本文对γ辐照环境下,小尺寸MOSFET的性能进行了研究,发现了短沟MOSFET阈值电压辐照增强漂移效应;提出了辐照损伤电荷非均匀分布概念;开发了二维数值模拟程序,对辐照损伤电荷引起的器件物理作用进行了分析;建立了辐照环境下短沟道MOSFET的简化模型,成功地解释了实验现象;在理论分析的基础上,提出了适用于VLSI的抗核加固措施,并经实验证实其有效性。     

硼、砷双注入载流子浓度分布的测量及计算机模拟

本文研究了双极型器件中硼、砷双注入载流子浓度分布的规律,考察了双注入情况下两者的相互作用。为了模拟基区载流子的浓度分布,用一个指数衰变场来模拟基区载流子在E-B结处的下陷,用有效扩散系数模拟尾部的增强扩散效应.并调试了计算双注入的载流子浓度分布的程序.     

SIMOX结构的低温（550℃）退火形成

本文研究了低温(550℃)退火对于SIMOX结构形成的影响。实验中发现:低温退火制备的SIMOX结构与高温(1100℃)退火制备的有明显不同。通过低温退火,可以获得质量优于高温退火的顶部硅层。低温退火可以避免在顶部硅层中氧沉淀及延伸位错等缺陷的形成。本文还讨论了退火期间SIMOX结构的形成过程。     

薄层SOI/MOSFET’s热载流子电流的数值模拟

本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型（包括热电子和热空穴）．通过分别对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ和相应的体硅器件模拟计算得出：栅电流和实验数据符合得很好；体硅器件的注入电流和通常一样，最大值发生在Ｖｇ＝Ｖｄ／２处；然而在薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件中，由于存在着前栅、背栅的耦合作用，热载流子电流变化较为复杂．栅电流不能完全表现注入电流的变化情况．准确模拟注入电流是研究薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件热载流子效应所     

CMOS电路瞬时辐照效应的计算机模拟分析

利用LSTRAC-2对CD4007电路进行瞬时辐照效应模拟,分析了模拟中用到的有关参数的提取方法,对模拟的电路样品进行了瞬态辐照实验,并就结果进行了比较和讨论。结果表明,模拟和实验符合得较好。     

微波晶体管散射矩阵的数值计算

提出了一种计算半导体器件散射矩阵的方法,该方法采用数值分析技术,把描述有源半导体器件的泊松方程和电流连续性方程与描述输入输出匹配网络的电报方程联立求解,得到了晶体管端点电压和端点电流随时间的变化关系,根据电压电流值求出器件的散射矩阵.在设计微波单片集成电路(MMIC)时,可以同时对器件和输入输出匹配电路进行设计,缩短了研制周期.另外计算了SOI MOSFET微波器件的散射矩阵．结果表明,该方法与传统的参数提取方法相比,两者的结果基本一致．     

二维短沟道MOSFET直流稳态与衬底电流的数值模拟

本文介绍一种新的采用载流子总量方法分析短沟道MOSFET直流稳态特性的数值模型。使用专用模拟程序 LADES1-A (Lisban Advance Device Simulation Version no.1-A)联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方程.LADES1-A可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响.设计者通过分析器件内部二维电流密度、电场强度等分布,得到直观的短沟道效应的物理图象,以便采取适当措施减小短沟道效应.为了介绍本模拟软件的用途,本文给出部分模拟结果,并着重讨论了热载流子效应产生的衬底电流及非平衡载流子的产生-复合率的分布.     

试论10KV配电网无功补偿方式

电压是电能的主要质量指标之一。电压质量对电网稳定及电力设备的安全运行影响重大,而无功功率又是影响电压质量的一个重要因素。合理的无功补偿点的选择以及补偿容量的确定,能够有效地维持系统的电压水平,提高系统的电压稳定性,避免大量无功的远距离传输,从而降低有功网损,减少发电费用。