首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1497579篇
  免费   28812篇
  国内免费   7795篇
电工技术   35109篇
技术理论   1篇
综合类   7246篇
化学工业   272859篇
金属工艺   65065篇
机械仪表   42747篇
建筑科学   46723篇
矿业工程   11719篇
能源动力   50668篇
轻工业   111330篇
水利工程   15226篇
石油天然气   38189篇
武器工业   240篇
无线电   197393篇
一般工业技术   282001篇
冶金工业   153061篇
原子能技术   34145篇
自动化技术   170464篇
  2021年   16444篇
  2020年   12475篇
  2019年   15065篇
  2018年   16077篇
  2017年   15471篇
  2016年   21779篇
  2015年   18040篇
  2014年   29531篇
  2013年   88875篇
  2012年   35755篇
  2011年   48063篇
  2010年   43211篇
  2009年   51676篇
  2008年   44847篇
  2007年   41881篇
  2006年   44706篇
  2005年   39434篇
  2004年   41286篇
  2003年   41098篇
  2002年   40360篇
  2001年   36858篇
  2000年   35336篇
  1999年   34165篇
  1998年   40766篇
  1997年   37041篇
  1996年   33944篇
  1995年   29973篇
  1994年   28159篇
  1993年   28029篇
  1992年   26059篇
  1991年   23097篇
  1990年   23459篇
  1989年   22593篇
  1988年   21113篇
  1987年   19315篇
  1986年   18677篇
  1985年   22033篇
  1984年   22280篇
  1983年   20252篇
  1982年   19255篇
  1981年   19355篇
  1980年   17962篇
  1979年   18476篇
  1978年   17755篇
  1977年   17494篇
  1976年   18328篇
  1975年   16042篇
  1974年   15491篇
  1973年   15581篇
  1972年   13076篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Due to the demand of miniaturization and integration for ceramic capacitors in electronic components market, TiO2-based ceramics with colossal permittivity has become a research hotspot in recent years. In this work, we report that Ag+/Nb5+ co-doped (Ag1/4Nb3/4)xTi1−xO2 (ANTOx) ceramics with colossal permittivity over a wide frequency and temperature range were successfully prepared by a traditional solid–state method. Notably, compositions of ANTO0.005 and ANTO0.01 respectively exhibit both low dielectric loss (0.040 and 0.050 at 1 kHz), high dielectric permittivity (9.2 × 103 and 1.6 × 104 at 1 kHz), and good thermal stability, which satisfy the requirements for the temperature range of application of X9R and X8R ceramic capacitors, respectively. The origin of the dielectric behavior was attributed to five dielectric relaxation phenomena, i.e., localized carriers' hopping, electron–pinned defect–dipoles, interfacial polarization, and oxygen vacancies ionization and diffusion, as suggested by dielectric temperature spectra and valence state analysis via XPS; wherein, electron-pinned defect–dipoles and internal barrier layer capacitance are believed to be the main causes for the giant dielectric permittivity in ANTOx ceramics.  相似文献   
2.
Multimedia Tools and Applications - Remote Sensing categorical signature classification has gained significant implications on spatial resolution image analysis due to differences in the...  相似文献   
3.
4.
Journal of Materials Science -  相似文献   
5.
6.
Grachev  A. I. 《Semiconductors》2022,56(2):67-70
Semiconductors - In this work, we discuss for the first time the principle of rotation in the constant electric field of a conducting particle with participation of the Lorentz force, which ensures...  相似文献   
7.
Journal of Communications Technology and Electronics - A quantitative comparison of the spectral characteristics of the human visual system and matrix photodetectors is carried out. Criteria for a...  相似文献   
8.
Koroteev  A. S. 《Atomic Energy》2021,130(4):202-208
Atomic Energy - The history and direction of further development of space nuclear energetics are examined. The functional diagram and principle of operation of a promising, powerful,...  相似文献   
9.
Wireless Personal Communications - Chronic kidney disease (CKD) is a gradual loss of kidney function over the period of time and it is irrevocable once functionality reaches the critical state....  相似文献   
10.
Xiao  Zhu  Chen  Yanxun  Jiang  Hongbo  Hu  Zhenzhen  Lui  John C. S.  Min  Geyong  Dustdar  Schahram 《Wireless Networks》2022,28(7):3305-3322
Wireless Networks - Unmanned aerial vehicles (UAV) have been widely used in various fields because of their high mobility and portability. At the same time, due to the rapid development of...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号