首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1495108篇
  免费   28809篇
  国内免费   7736篇
电工技术   35078篇
技术理论   1篇
综合类   7241篇
化学工业   271023篇
金属工艺   65055篇
机械仪表   42741篇
建筑科学   46694篇
矿业工程   11707篇
能源动力   50646篇
轻工业   111224篇
水利工程   15194篇
石油天然气   38180篇
武器工业   240篇
无线电   197259篇
一般工业技术   281929篇
冶金工业   152906篇
原子能技术   34145篇
自动化技术   170390篇
  2021年   16357篇
  2020年   12445篇
  2019年   15029篇
  2018年   16056篇
  2017年   15439篇
  2016年   21753篇
  2015年   18007篇
  2014年   29509篇
  2013年   88848篇
  2012年   35731篇
  2011年   48046篇
  2010年   43199篇
  2009年   51664篇
  2008年   44829篇
  2007年   41871篇
  2006年   44692篇
  2005年   39429篇
  2004年   41278篇
  2003年   41098篇
  2002年   40355篇
  2001年   36855篇
  2000年   35335篇
  1999年   34161篇
  1998年   40746篇
  1997年   37030篇
  1996年   33935篇
  1995年   29973篇
  1994年   28153篇
  1993年   28023篇
  1992年   26057篇
  1991年   23093篇
  1990年   23456篇
  1989年   22591篇
  1988年   21107篇
  1987年   19312篇
  1986年   18673篇
  1985年   22031篇
  1984年   22280篇
  1983年   20248篇
  1982年   19255篇
  1981年   19354篇
  1980年   17958篇
  1979年   18475篇
  1978年   17755篇
  1977年   17492篇
  1976年   18326篇
  1975年   16042篇
  1974年   15491篇
  1973年   15581篇
  1972年   13076篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Due to the demand of miniaturization and integration for ceramic capacitors in electronic components market, TiO2-based ceramics with colossal permittivity has become a research hotspot in recent years. In this work, we report that Ag+/Nb5+ co-doped (Ag1/4Nb3/4)xTi1−xO2 (ANTOx) ceramics with colossal permittivity over a wide frequency and temperature range were successfully prepared by a traditional solid–state method. Notably, compositions of ANTO0.005 and ANTO0.01 respectively exhibit both low dielectric loss (0.040 and 0.050 at 1 kHz), high dielectric permittivity (9.2 × 103 and 1.6 × 104 at 1 kHz), and good thermal stability, which satisfy the requirements for the temperature range of application of X9R and X8R ceramic capacitors, respectively. The origin of the dielectric behavior was attributed to five dielectric relaxation phenomena, i.e., localized carriers' hopping, electron–pinned defect–dipoles, interfacial polarization, and oxygen vacancies ionization and diffusion, as suggested by dielectric temperature spectra and valence state analysis via XPS; wherein, electron-pinned defect–dipoles and internal barrier layer capacitance are believed to be the main causes for the giant dielectric permittivity in ANTOx ceramics.  相似文献   
2.
Multimedia Tools and Applications - Remote Sensing categorical signature classification has gained significant implications on spatial resolution image analysis due to differences in the...  相似文献   
3.
4.
Journal of Materials Science -  相似文献   
5.
6.
Grachev  A. I. 《Semiconductors》2022,56(2):67-70
Semiconductors - In this work, we discuss for the first time the principle of rotation in the constant electric field of a conducting particle with participation of the Lorentz force, which ensures...  相似文献   
7.
Journal of Communications Technology and Electronics - A quantitative comparison of the spectral characteristics of the human visual system and matrix photodetectors is carried out. Criteria for a...  相似文献   
8.
Koroteev  A. S. 《Atomic Energy》2021,130(4):202-208
Atomic Energy - The history and direction of further development of space nuclear energetics are examined. The functional diagram and principle of operation of a promising, powerful,...  相似文献   
9.
Wireless Personal Communications - Chronic kidney disease (CKD) is a gradual loss of kidney function over the period of time and it is irrevocable once functionality reaches the critical state....  相似文献   
10.
Xiao  Zhu  Chen  Yanxun  Jiang  Hongbo  Hu  Zhenzhen  Lui  John C. S.  Min  Geyong  Dustdar  Schahram 《Wireless Networks》2022,28(7):3305-3322
Wireless Networks - Unmanned aerial vehicles (UAV) have been widely used in various fields because of their high mobility and portability. At the same time, due to the rapid development of...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号