异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

天然气吸附储存脱附过程的动态模拟

通过热动力学计算,认识了脱附过程当中储罐内温度剖面分布的典型特征:储罐轴心处的温度下降幅度最大。分析了脱附过程当中储罐壁的热交换、吸附剂的导热系数以及储罐内的初始压力对储罐内的温度剖面的影响。结论是加强储罐外壁的热交换、增大吸附剂的导热系数皆能改善吸附储罐内的温度剖面。     

具有除草活性的双膦酸衍生物的研究动态

许多含双膦酸结构单元的化合物都显示了良好的除草活性,本文对这类化合物的结构特点、生物活性以及相关的研究动态进行了归纳和概述。     

The Synthesis of Sulfated Titanium Oxide Nanotubes

TiO₂ nanotubes can be prepared in gram quantities by treating anatase TiO₂ powder with concentrated NaOH solution. These TiO₂ nanotubes acquired strong acidity after being impregnated with sulfuric acid solution and calcined at 300 °C. The anatase TiO₂ powder used to prepare the nanotube did not catalyze the esterification between cyclohexanol and acetic acid, while sulfated TiO₂ nanotubes were very reactive toward the esterification reaction.     

机动武器系统的含间隙动力学研究--下篇:系统仿真

本文把中篇建立的间隙铰模型引入多体系统动力学分析中,得到了一种处理含间隙多体系统动力学问题的一般方法.应用这种方法对机动武器的发射过程进行了原理性的仿真,验证了前面建立的碰撞模型和间隙模型,并分析了间隙对导弹运动状态的影响.导弹发射过程具有变拓扑的特点,本文方法提供了一种处理这类问题的思路.     

卧式厚箔剪切机下刀摆动的消除方法

介绍了一种当前铝加工设备中常见的卧式厚箔剪切机.重点分析了其中剪切装置的工作原理,并就其缺陷提出改进方案.     

无线局域网的安全解决方案

本文描述了无线局城网中的认证和密钥管理协议,CCMP认证加密协议。IEEE 802.11依赖于IEEE 802.1x 来支持认证和密钥管理服务,更进一步的,四次握手协议用来建立分组传输的数据加密密钥。IEEE 802.11i也定义了认证者更新一个组暂时密钥(GTK)给请求者的组密钥握手,这样请求者可以接收广播消息。     

江苏省本地电话网结构与发展

分片汇接的网状网结构是江苏省本地电话网的基本框架,而汇接局和连接汇接局的传输系统则是网路规划与通信建设的重点。     

北京市部分学校教室采光照明现状分析

近年来我国学生视力不良检出率居高不下,并且呈现明显上升趋势,已经到了极为严重的程度.学校教室的采光照明问题是保护学生视力健康的重要部分.2004年我国重新修订了国家标准〈建筑照明设计标准〉GB50034-2004.本文对北京市部分大中小学校进行采光照明的调查分析,结果显示,北京市学校教室采光照明问题十分严重,与国家标准要求差距很大,在被调查的39间教室中,窗地面积比达标率为20.5%,课桌面照度达标率为25.6%,黑板照度达标率为零.     

Gate and drain currents in off-state buried-type p-channel LDDMOSFETs

The buried-type p-channel LDD MOSFETs biased at high positive gate voltage exhibit novel characteristics: (1) the ratio of the drain to gate currents is about 1×10^-3 to 5×10^-3; and (2) the gate and drain currents both are functions of only the gate voltage minus the n-well bias. Such characteristics are addressed based on the formation of the surface n ⁺ inversion layer due to the punchthrough of the buried channel to the underlying shallow p-n junction. The measured gate current is due to the Fowler-Nordheim tunneling of electrons from this inversion layer surface and the holes generated within the high-field oxide constitute the drain current. The n⁺ inversion layer surface potential is found to be equal to the n-well bias plus 0.55 V. As a result, both the oxide field and the gate and drain currents are independent of drain voltage