用边界元法提取VLSI版图电阻

介绍了ＶＬＳＩ版图验证中电阻提取的基本原理和主要方法，给出了一种新颖的基于边界元法的电阻提取算法。该算法采用变节点单元，较好地解决了实际问题中经常出现的角点问题。通过应用该算法对几个实例进行提取，证明使用本文的算法不仅在精度上而且在占用ＣＰＵ时间上都取得了令人满意的效果     

一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.     

LSI Logic发布具有空前集成度的单芯片调谐器

LSI Logic于9月24日发布了目前业界最高集成度的线缆调谐器/接收器,这是该公司宽带射频超大规模集成电路产品线的旗舰产品。该产品最初是为线缆调制解调器设计的,在经过彻底的技术革新后,高智能调谐器—DPS7000,将所有射频元器件完全集成在单一装置上,从而满足线缆宽带接入市场对价格、电压和体积的要求。     

采用量纲分析法的MCM互连延迟建[模

高性能多芯片系统中，互连延迟对整个系统的延迟结果起决定性作用。利用量纲分析法首先对ＭＣＭ的互连延迟进行数学建模，继而利用曲线拟合法求出了所建数学模型中的特定系数，并进一步对此结果进行了必要的分析。     

一个有效的不完全Scan结构MOS电路的测试生成算法

本文介绍一个不完全Scan结构MOS电路的测试生成算法DALG—EX18。该算法充分考虑不完全Scan结构的特点,同时也考虑MOS电路中由三态器件引出的一些特性,在传统5值D-算法基础上,引入18值及其计算规则,加入新的处理步骤,并辅以可观值/可控值引导D-驱赶和一致性操作,从而提高故障覆盖率,加快测试生成速度。DALG—EX18算法已用C语言在VAX 11/750机上实现,一些电路的实验结果表明,该算法是有效的。     

分级式设计规则检查的实用化研究

针对分级式设计规则检查的实用化所面临的一系列问题，如效率问题，伪错问题以及进一步优化等。分析限产生这些问题的原因和版图的结构特点，提出了上应的解决方案和改进措施。     

用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层

高浓度浅结是高速砷化镓MESFET的重要技术.我们采用透过氮化硅薄膜进行Si离子注入的方法研制了载流子浓度大于10~(15)cm~(-3)的薄形有源层(<1000A).试验结果表明,氮化硅膜的厚度基本等于载流子浓度峰值位置向衬底表面移动的距离;高剂量(>10~(15)cm~(-2)),低能量,(<80keV)和较厚的氮化硅可以制得符合要求的薄形有源层.     

离散型Hopfield神经网络的电流模式实现

提出了离散型Ｈｏｐｆｉｅｌｄ电流模式实现电路。该电路主要由可编程电流镜和电流比较器构成，具有结构简单，运算速度快，易于单片集成等优点，采用ＰＳＰＩＣＥ５．０进行的模拟证明了该电路的正确性。     

6Gb/s SAS外接式储存设备的真命天子

许多读者也许已经察觉到,序列连结SCSI（SAS,Serial Attached SCSI）技术在过去几年间,已在服务器市场大幅度取代称霸多年的平行SCSI技术。事实上,SAS的全球出货量早在2007年便已超越SCSI，并成为全球各大服务器厂商主要采用的储存接口技术。     

串行SCSI一个成功的技术开发

在业界很少能看到一个可带来一系列独有的价值但又没有显著市场和技术风险的新技术,不过我们相信串行附加SCSI(SAS)就是其中之一。