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1.
2.
激光水下成像技术及其进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
孔捷  张保民 《光电子技术》2006,26(2):129-132
介绍了近年发展起来的三种主要的激光水下成像方法,即常规水下激光成像、高分辨率水下激光三维成像和偏振激光成像,分析了它们各自的工作原理、特点以及各自的发展状况。  相似文献   
3.
电线电缆、线圈绕组线及灯泡的钨丝等都是经过金属拉伸制成的。许多触点导电材料,如开关上的银镍合金触点、电路板上的微细铝硅丝接点线(直径0.01毫米以下)也是金属拉伸制品。研究金属拉伸过程中的拉伸应力及影响因素,是保证拉伸过程顺利进行及成品质量的关键。  相似文献   
4.
偏高岭土的研究现状及展望   总被引:9,自引:0,他引:9  
简要介绍了偏高岭土的反应机理和在国内外的研究现状。同时对偏高岭土的研究进行了展望 ,提出因麦特林水泥原料丰富 ,污染小 ,加工简单 ,性能优越 ,其应用前景广阔 ,应对其加强研究。  相似文献   
5.
川东北三叠系飞仙关组鲕滩气藏有利储集层的形成与分布   总被引:19,自引:5,他引:14  
川东北地区三叠系飞仙关组鲕滩气藏是近年四川盆地碳酸盐岩天然气勘探取得重大突破的领域,目前在中国石油探区内已发现罗家寨、渡口河、铁山坡等大中型气藏。对鲕滩气藏白云岩储集层进行岩心观察、显微薄片分析,并进行微量元素、流体包裹体、X衍射、阴极发光及电子探针等分析,结果表明,白云岩化和多期溶蚀是形成优质白云岩储集层的关键因素,混合云化与埋藏云化的叠加作用是形成孔隙性白云岩储集层的基本条件。飞仙关组鲕滩气藏储集层经历了4期溶蚀作用,即同生期溶蚀作用、浅埋期溶蚀作用、深埋期溶蚀作用和抬升期溶蚀作用,形成优质白云岩储集层的主要溶蚀作用是浅埋期和深埋期的溶蚀作用。优质白云岩储集层主要分布在台缘鲕粒滩相带,纵向与亮晶鲕粒灰岩呈韵律性互层,横向主要分布在鲕粒滩坝靠近漏湖-潮坪一侧。  相似文献   
6.
传统网上信息检索是用户被动地依靠浏览超级链接网页而获取的。文中提出基于本体的主动元数据挖掘系统以及在果品领域的应用,在主动搜索、元数据生成、借助本体作用于数据的语义描述等方面,其效果是客观的。使得对信息数据的搜索从被动地获取到主动依靠计算机自动搜索;从依靠关键字作为查询依据到借助本体的作用获取语义描述的信息数据,进而提高了信息查询效率及查询的准确率,这也是当前信息检索研究的热门课题。实验证明,通过主动元数据挖掘实例可以实现语义的扩充,如同义、近义及上下位关系。同时也验证了本体对实施语义智能检索所带来的客观效果。  相似文献   
7.
里底水电站导流明渠封堵闸门二次利用,是叠梁闸门应用于封堵闸门的技术实践,该技术应用解决了叠梁闸门下闸需要掌握的诸多下闸条件。从技术方案实施全过程总结,方案准确、闸门组合及启闭设备选择合理、施工安全、成本经济,封堵闸门顺利下闸为电站顺利实现发电目标奠定了基础。叠梁闸门二次利用、架桥机替代固定式卷扬机,节约了设备采购制造工期及成本,缩短了设备安装工期,极大节约了资源。  相似文献   
8.
陈刚  羌铃铃 《微计算机信息》2012,(5):182-183,154
文章提出了在不同操作系统以及不同平台上获取MAC地址的方法。以目前比较典型的两种操作系统:UNIX操作系统和WINDOWS操作系统为例,阐述了具体方法,并给出了相应的C/C++语言读取MAC地址的实现程序。  相似文献   
9.
以壳聚糖(Chitosan,CTS)为保护剂和分散剂制备纳米银—壳聚糖(AgNPs-CTS)复合溶胶,对制备溶胶的最适温度进行优化,并对其抑菌效果和形态进行了评测.在温度为60℃时得到了粒径分布均一,抑菌效果良好的复合溶胶.进一步利用该复合溶胶制备纳米银、铜—壳聚糖(AgNPs/Cu-CTS)复合颗粒,并对其机械强度、形态、抑菌效果、机洗过程损耗及抑菌性能进行检测.结果表明,该复合颗粒的多孔结构更有利于对细菌的杀灭,颗粒在平板、机洗过程中均具有良好的抑菌效果,同时损耗测试也证明了复合颗粒在应用过程中的长效性.  相似文献   
10.
二元稀土镁合金Mg-La和Mg-Nd的组织和性能   总被引:6,自引:0,他引:6  
薛山  孙扬善  朱天柏  强力峰  陶立  白晶 《铸造》2005,54(9):888-891
系统研究了二元稀土镁合金Mg-2%La(L2)和Mg-2%Nd(N2)的铸态显微组织、拉伸性能和抗蠕变性能.通过研究发现,L2铸态组织中有大量网状的Mg-Mg17La2的共晶相析出;而N2则以Mg12Nd离异共晶析出,析出物的数量少得多.N2合金在室温或者175℃条件下,强度和塑性都优于L2合金.N2合金的抗蠕变性能在175℃、70 MPa条件下比L2低近3个数量级.通过计算两种合金的应力指数和蠕变激活能,L2合金的蠕变机制是受晶界滑动控制的,而N2合金为位错攀移机制控制.  相似文献   
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