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提出了一种200V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系。经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真,在0.8μm埋氧层、10μmSOI层材料上设计得到了关态耐压248V、开态饱和电流2.5×10-4A/μm、导通电阻2.1(105Ω*μm的SOI PLDMOS,该器件可以满足PDP扫描驱动芯片等的应用需求。 相似文献
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介绍了松下NA—F55Y6H型模糊全自动洗衣机控制器的基本构成,模糊理论应用于洗衣机的具体实现。 相似文献
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详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象,在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法:在低压部分增加多子保护环,在高低压之间增加少子保护环。借助TCAD软件详细研究了少子环位置及宽度对抗Latch-up效果的影响。实验结果证明,采用该方法可以有效地克服功率集成电路的Latch-up现象。 相似文献
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基于专用芯片SUNYEE8001B2设计了一种应急标示灯的应用系统,其具有低成本、高可靠性、智能控制、符合消防应急灯国家标准等众多特点,可以广泛地应用于各类建筑与场合中. 相似文献
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介绍了一种新型的基于数字延迟锁定环DLL(Delay Lock Loop)技术的混合数字脉宽调制器DPWM(Digital Pulse Width Modulator)结构,该结构用可编程延迟单元PDU(Programmable Delay Unit)构成延迟线,通过DLL调节算法,动态地调整PDU的延迟时间,从而消除了延迟线的延迟时间受工艺、温度、工作电压的影响,提高了PWM的调节线性度,适用于数字控制开关式电源SMPS(Switched-Mode Power Supply),可以大幅度的提升系统的性能。同时,此种结构的DPWM适合FPGA验证和流片实现。采用CMOS 0.18μm工艺对所提出的结构进行了设计与实现,DPWM占用面积0.045 7 mm2,芯片测试结果非常好,可以进行工程应用。 相似文献