基于局部电场的零值绝缘子检测技术研究

通过电场法可检测出绝缘子串零值片,而现有的技术都是通过扫测整串绝缘子电场分布曲线来找出零值片,此方法操作难度大、效率低。本文提出通过探测绝缘子局部电场的方法来识别零值绝缘子。首先建立了零值绝缘子检测仿真模型,得到了含检测装置的绝缘子串电场畸变特性,然后通过该特性,获得了零值片的局部电场识别判据。最后,通过设计传感器、探测装置,验证了仿真结果,并实现了零值绝缘子的点测识别。研究结果表明,采用三阵列电场法可以实现零值绝缘子检测。装置长度应大于电场的畸变区间长度,对于本文研究对象可取130mm;识别判据为探头1、3变化率?13<10% ,探头2偏差率?2<50% 。检测时,对于高压端和中压端,检测装置应为正对钢脚,在低压端应为正对伞裙。研究结果可为输配电外绝缘智慧运维提供技术支撑。     

屏蔽极板对劣化复合绝缘子电场检测的影响

绝缘子劣化前后,其周围轴向电场分布的变化比其合成电场更明显,通过检测电场分布可以实现绝缘子劣化识别。针对该特点,提出利用电磁屏蔽的方法来检测复合绝缘子的电场垂直分量,从而提高其劣化检测效果。首先仿真研究劣化复合绝缘子周围的电场分布特征,继而通过COMSOL与MATLAB联合动态仿真,提出最优电场屏蔽极板型式结构,并对比屏蔽板对劣化检测距离和劣化特征参量即电场变化率的改进效果。仿真结果表明：采用电场屏蔽极板后,板间沿串电场分布与绝缘子轴向电场分布趋势基本相同;相较于屏蔽极板的尺寸,屏蔽极板厚度和板间间距对劣化绝缘子电场检测效果影响更明显;相比无屏蔽板时劣化部位10%左右的电场变化率,采用电场屏蔽极板时该处的电场变化率下降至5%左右,电场变化明显变缓,且劣化部位的有效检测距离可以从70 mm提高到140 mm。