电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究

近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化.基于N+ Np+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1 ～5.5 Ω·cm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别,可以有效的节省成本.通过选用不同电阻率的N型硅片,经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池,采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源Ⅰ-Ⅴ测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量.实验结果表明:虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高,但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异.     

假设检验问题分析

从简单的实例入手探讨假设检验的基本思想和假设检验的基本步骤,并对建模中的原假设的选择、所需样本数据个数、检验功效的判断等问题作了分析研究.     

光致发光技术在Si基太阳电池缺陷检测中的应用

太阳电池的缺陷往往限制了其光电转化效率和使用寿命。利用光致发光原理获取晶体Si太阳电池的荧光照片,用以诊断其缺陷。外界的光能在Si中被吸收,产生非平衡少数载流子,而一部分载流子的复合是以发光形式来完成的。发出的光子可以被灵敏的CCD相机获得,得到太阳电池的辐射复合分布图像。这种光强分布反映出非平衡少数载流子的数目分布,裂痕和缺陷处表现为较低的光致发光强度。这里关注的是单晶Si太阳电池的检验。在室温条件下电池的裂痕和缺陷可以快速予以检测,验证了"光致发光效应"有潜力成为流水线式检测产品的手段。     

晶体硅太阳能电池激光隔离pn结的研究

在晶体硅太阳能电池生产过程中,为了避免过低的填充因子,电池边缘多余的pn结必须去掉。首先利用激光温度场在硅材料中的分布,得出硅片在纳秒级脉冲激光作用下的融化峰值功率阈值。然后根据此阈值选择合适的激光器进行晶体硅太阳能电池激光隔离pn结的研究。通过激光隔离槽的3D形貌及测试太阳能电池的反向电流和并联电阻寻找最佳激光隔离的工艺参数。通过实验证明,纳秒级脉冲激光隔离能达到并超过化学隔离及等离子隔离的效果,为太阳能电池pn结隔离提供一种经济、环保的方案。     

压敏电阻器电气特性综合测量仪

介绍一种压敏电阻器电气特性测量仪．本仪器在恒流状态下测量压敏电压，在恒压状态下测量漏电流，用积分比较式除法器测量压比．设计了一种时序电路，可对上述３个参数进行自动测量，并提出了仪器向智能化方向发展的设想     

晶体硅片上激光打孔的研究

背面接触太阳电池越来越多地被人们关注,这种电池增加了使用激光器在硅片上打孔工艺。选用了半导体激光器作为光源在晶体硅片上进行打孔实验。通过调节激光器的功率、离焦量、脉冲重复频率等参数并分析其对打孔的影响。在激光打孔后,对硅片使用显微镜测试来分析打孔大小、形貌和损伤区,并优化打孔的参数。通过实验证实孔的入孔直径和出孔直径都随激光能量的增大而增大。随着离焦量的增大,出孔直径先增大后减小,且出孔直径越大时孔附近的破坏区域越小。脉冲重复频率的变化由于影响激光能量而影响孔径。另外,脉冲重复频率过大时,激光能量仍然比较大,但却打不穿硅片。     

双向触发二极管的研制

双向触发二极管是利用双向闸流管原理设计出来的。它具有二极管的外形、双向可控硅的特性曲线,又能起到开关的作用,所以称它为双向触发二极管。双向触发二极管是一种用途很广的器件,它适用于多种形式的电路,在可控硅控制的电路中是一个触发元件、其典型的应用电路如图1所示。该电路是由负载电阻R_L、可调电阻R_1、电容C_1、双触发二极管Diac和双向可控硅五个元件组成的.此电路可以通过改变可调电阻R_1的阻值,来改变电容C_1的充电时间,以调整Diac的导通角。当C_1的电压达到Diac的